CS2150H雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio測(cè)試軟件來(lái)協(xié)調(diào)輸出電位/電流，CS2150H是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于：
1. 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試；
2.雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
CS2150H雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2150H國(guó)內(nèi)的雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)現(xiàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的便利性。
典型案例：
1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
使用專用的電池測(cè)試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來(lái)更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面
2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系：
在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過(guò)公式測(cè)得： 
其中知Idisk和Iring分別為測(cè)得的盤電流、環(huán)電流，電極收集效率N 由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H2O2（%）所占比例。 
兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過(guò)左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。 
具體應(yīng)用于：
1. 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試；
2.雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
CS2150H雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2150H國(guó)內(nèi)的雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)現(xiàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的便利性。
典型案例：
1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
使用專用的電池測(cè)試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來(lái)更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面
2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系：
在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過(guò)公式測(cè)得：
圖2.氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測(cè)
3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試：兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過(guò)左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。
圖3.金屬中氫擴(kuò)散控制
硬件參數(shù)指標(biāo)
| 雙恒電位儀： 單恒電位電位控制范圍：±10V 雙恒電位儀電位控制范圍:±10V | 恒電流控制范圍：±2A |
| 電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
| 電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) | 電流靈敏度：1pA |
| 電位上升時(shí)間：＜1μs(<10mA),＜10μs(<2A) | 電流量程：2A～2nA, 共10檔 |
| 參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF | 輸出電流：2A |
| 槽壓輸出：±21V | 電流掃描增量：1mA @1A/mS |
| CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s | 電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS |
| CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s | DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
| SWV頻率：0.001～100KHz | CV的最小電位增量：0.075mV |
| AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz | 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
| DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS | 低通濾波器 ：8段可編程 |
| 通訊接口：網(wǎng)口 | 儀器凈重：7.5Kg |
| 外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
配置
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線、網(wǎng)線各1條
5）電極電纜線2條
6）屏蔽箱（選配*）
CS2150H雙恒電位儀功能方法
穩(wěn)態(tài)極化開路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動(dòng)電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）、氫擴(kuò)散測(cè)試
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電、恒電位充放電、恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）、恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀
