矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點為用戶開發(fā)了PECVD&PEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng),用于半導體工藝中的薄膜封裝,OELD薄膜封裝,太陽能電池封裝,薄膜鋰電池封裝等。ALD技術(shù)可以制備非常薄,非常致密的薄膜,但ALD技術(shù)制備致密薄膜需要的時間比較長,這在工業(yè)生產(chǎn)中是不能容忍的。為了克服ALD鍍膜速度慢的劣勢,將其與PECVD快速制備介質(zhì)薄膜的技術(shù)集成到一起,可以實現(xiàn)多種不同材料交替堆疊的薄膜結(jié)構(gòu)。實踐證明,這種交替結(jié)構(gòu)的薄膜封裝性能可以達到與ALD技術(shù)同等的封裝效果,同時降低了整個封裝過程占用的時間。
ALD
1 不銹鋼腔體,雙層加熱設(shè)計;
2 等離子體增強模塊集成于腔體上蓋;
3 進口高速ALD隔膜閥;
4 12英寸基片;
5 基片加熱400℃;
6 最多可提供6路前驅(qū)物和6路工藝氣體;
7 氣路全金屬密封,并可加熱至120℃;
8 可提供前驅(qū)體鋼瓶加熱或冷卻;
9 可全自動控制工藝過程,同時也可以手動操作。
PECVD
1 基片尺寸可定制;
2 低溫工藝:< 150℃ / 350℃;
3 多層式工藝氣體導入,氣體分布均勻;
4 獨立MFC控制箱,可靈活擴充工藝氣路;
5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%;
6 可與手套箱集成;
多層薄膜封裝技術(shù)
不同技術(shù)對比