隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展，工藝技術(shù)節(jié)點進入28納米以及14nm等更*等級，隨著工藝流程的延長以及越趨復(fù)雜，每個晶片在整個制造過程中需要超過200道清洗步驟， 晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要以及富有挑戰(zhàn)性； 清洗設(shè)備以及工藝也必須推陳出新，使用新的戶物理及化學(xué)原理，在滿足使用者的工藝需求條件下，也兼顧降低晶圓清洗成本和兼顧環(huán)境保護；

• 減少材料損傷（material loss）； 
• 孔洞的清洗能力；
• 防止晶片結(jié)構(gòu)損傷（pattern damage）；
• 金屬、材料及微粒子的交叉污染 ；
• 晶圓可靠性改善；

單片濕法設(shè)備的工藝應(yīng)用

• 去膠及去膠后清洗
• 爐管及長膜前清洗
• 氧化層/氮化硅蝕刻
• 銅/鈦金屬蝕刻
• 聚合物去除
• 擦片清洗
• 化學(xué)機械研磨后清洗

單片清洗的亮點 

• 可以提供完整的濕法工藝解決方案，及前瞻的技術(shù)規(guī)劃。
• 設(shè)備及工藝已經(jīng)通過國際一線大廠的驗證。
• 設(shè)備平臺及腔體設(shè)計種類多，可滿足客戶不同條件。
• 多層式結(jié)構(gòu)腔體設(shè)計，化學(xué)品回收率可以達到95%以上。
• 自動清洗功能（腔體、排風(fēng)口、 化學(xué)品噴嘴及手臂），可避免交叉污染及減少微粒子。 
• *的自動工藝控制功能（片/批次），可以改善產(chǎn)品的均勻性。
• 可靠的視覺辨識功能，能立即偵測設(shè)備異常，預(yù)防產(chǎn)品異常。
• IPA 干燥功能，可以減少微粒子及水痕。

ULTRON S2XX/S3XX

設(shè)備平臺: ULTRON S-Series

晶圓尺寸: 200mm/300mm， 

相關(guān)技術(shù): 全自動旋轉(zhuǎn)式濕法清洗適用制程: 晶體管, 連接體, 圖形化, *內(nèi)存, 封裝