熱場式場發(fā)射掃描電鏡 SU5000
操作高效便捷
創(chuàng)新的“EM Wizard”界面更加直觀,僅需要“點(diǎn)擊”即可得到完美的圖像。
超前的電腦輔助技術(shù)將電鏡的操作與控制提升到一個新水平。
特點(diǎn)
規(guī)格
應(yīng)用實(shí)例
特點(diǎn)
高性能電子光學(xué)系統(tǒng)
- 二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)*
- 高靈敏度: 高效PD-BSD, *的低加速電壓性能,低至100 V成像
- 大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析
性能優(yōu)異
- 壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配備高靈敏度低真空探測器(UVD)*
- 開倉室快速簡單換樣(大樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
- 微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等
- *:
- 選配附件
規(guī)格
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
---|---|---|
分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 | |
放大倍率 | 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) 30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素) | |
電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍 | ZrO /W 肖特基式電子槍 |
加速電壓 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進(jìn)) | |
著陸電壓 | 減速模式: 0.1 - 2.0 kV *1 | |
大束流 | > 200 nA | |
探測器 | 低位二次電子探測器 | |
低真空模式*2 | 真空范圍: 10 - 300 Pa | |
馬達(dá)臺 | 馬達(dá)臺控制 | 5 - 軸自動 (優(yōu)中心) |
可動范圍 | X:0~100mm Y:0~50mm Z:3~65mm T:-20~90° R:360° | |
大樣品尺寸 | 大直徑: 200 mm 大高度: 80 mm | |
選配探測器 |
|
- *1:
- 減速功能(包含高分辨率頂位二次電子探測器)
- *2:
- 低真空功能(包含5分割半導(dǎo)體探測器)
- *3:
- 空壓機(jī)(本地采購)
應(yīng)用實(shí)例
樣品: 氧化鋅粉末
著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x
低電壓下頂位二次電子探測器成像
樣品: PTFE
加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x
UVD探測器可在低加速電壓(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下獲得高質(zhì)量圖像
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類
- 聚焦離子束系統(tǒng) (FIB/FIB-SEM)
- TEM/SEM樣品前處理裝置