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產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
動(dòng)態(tài)參數(shù)(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
環(huán)境老化(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
熱特性(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs 等功率器件
生產(chǎn)線大功率IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
型號(hào)/定義:ST-DC1520_FATL
ST-
(Semiconductor Test) DC (Direct current) 1520 (1500V2000A)FATL(fully auto test line)
用于大功率 IGBTs模塊靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試,生產(chǎn)線全自動(dòng)量產(chǎn)測(cè)試
1500V/2000A,短路電流2500A
? 功能單元概覽
實(shí)景照片 | 結(jié)構(gòu)單元 | 說明 |
基礎(chǔ)部分 | 產(chǎn)線架構(gòu),水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
伺服系統(tǒng) | 整體系統(tǒng)的控制的電控系統(tǒng)水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
輸送單元 | 產(chǎn)線輸送帶及電機(jī)水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
機(jī)械臂 | 通過往復(fù)運(yùn)動(dòng)取放被測(cè)模塊水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
預(yù)加熱單元 | 加熱模塊水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
冷卻單元 | 同時(shí)帶有風(fēng)冷和水冷兩套水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
托盤 | 鋁基板材質(zhì)的托盤,針對(duì)DUT外觀定制 |
? 量產(chǎn)測(cè)試簡(jiǎn)述水印*西安天光測(cè)控*水印
“生產(chǎn)線大功率IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)”人工操作部分只有兩項(xiàng)(被測(cè)模塊的“放”和“取”)。產(chǎn)線啟動(dòng),先由工作人員將其被測(cè)模塊放置在托盤內(nèi)。放置模塊的托盤被輸送帶輸送至預(yù)加熱區(qū)域進(jìn)行加熱。加熱后輸送將其輸送至測(cè)試區(qū),由測(cè)試臂識(shí)別抓取放置測(cè)試主機(jī)的托盤(測(cè)試主機(jī)的托盤會(huì)自動(dòng)彈出)。測(cè)試主機(jī)托盤收回并關(guān)閉安全門進(jìn)行電測(cè)試,測(cè)試完畢,彈出托盤,被測(cè)模塊被機(jī)械臂抓取送至冷卻區(qū)域,冷卻區(qū)域提供風(fēng)冷和水冷兩種方式。冷卻完畢,輸送帶將被測(cè)模塊送至成品區(qū),等待下一步工序。水印*西安天光測(cè)控*水印
? 產(chǎn)線測(cè)試能力水印*西安天光測(cè)控*水印
分類 | 項(xiàng)目 | 基礎(chǔ)參考 | 實(shí)際響應(yīng) |
靜態(tài) | 電源 | 高穩(wěn)定性 | 自主電源(高度適配,擴(kuò)展靈活); |
靜態(tài) | 電壓等級(jí) | 1500V | 1500V(支持?jǐn)U展)水印*西安天光測(cè)控*水印 |
靜態(tài) | 電流等級(jí) | 2000A | 2000A(支持?jǐn)U展)水印*西安天光測(cè)控*水印 |
靜態(tài) | 測(cè)試時(shí)間 | 水印*西安天光測(cè)控*水印 |
|
靜態(tài) | 機(jī)械動(dòng)作時(shí)間 | 2s (設(shè)備移動(dòng);測(cè)試單元及DBC之間切換) | |
靜態(tài) | 測(cè)試產(chǎn)能 | 1000模塊/D 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 半自動(dòng),一次測(cè)一個(gè)上臂/下臂,換料30s, 一天按20h計(jì)算水印*西安天光測(cè)控*水印 DBC:3600/(42+30)*3=150DBC/H, 3600*20/(42+30)*3=3000DBC/D(設(shè)計(jì)一次放3個(gè)DBC) 模塊:3600/(42+30) =50 模塊/H,(3600*20)/(42+30)= 1000模塊/D |
靜態(tài) | 切換方式 (繼電器或機(jī)械切換) | 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 繼電器切換水印*西安天光測(cè)控*水印 |
Handler | 進(jìn)出料機(jī)械控制方式 | 半自動(dòng) (手動(dòng)放料、自動(dòng)進(jìn)出) |
|
溫度 | 高溫測(cè)試 | 200℃ | 高溫支持室溫到200℃,分辨率 0.1℃ |
溫度 | 高溫監(jiān)控 | Tc監(jiān)測(cè) | 支持Ta, Tc監(jiān)測(cè);水印*西安天光測(cè)控*水印 |
溫度 | 加熱方式 | 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 設(shè)備:自帶可控型恒溫加熱板電加熱; 模塊:可代購或自購溫箱; |
溫度 | 升溫、降溫時(shí)間 | 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 升溫:20~30 min 降溫:風(fēng)冷20~30min; 自冷2~3h |
溫度 | 溫度控制精度 | 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 常溫-125℃±1.0℃ 125℃-150℃±1.5℃ 150℃-200℃±2℃ |
溫度 | 溫度校準(zhǔn) | /水印*西安天光測(cè)控*水印 | |
夾具 | DBC&模塊 兼容性 | 切換時(shí)間小于30min | 響應(yīng),設(shè)計(jì)同時(shí)放兩套夾具,無需手動(dòng)換置; |
其它特性 | 水印*西安天光測(cè)控*水印 | /水印*西安天光測(cè)控*水印 |
? 技術(shù)規(guī)格
分類 | 測(cè)試指標(biāo) | 典型值 | 西安天光測(cè)控 | ||
測(cè)量范圍 | 測(cè)量解析度和精度 | 測(cè)試條件 | |||
靜態(tài) | Kelvin contact | 四線開爾文接觸檢測(cè) | 支持 | /水印*西安天光測(cè)控*水印 | / |
靜態(tài) | NTC測(cè)試 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 5kΩ I=1mA | 支持 | /水印*西安天光測(cè)控*水印 | / |
靜態(tài) | 柵極-發(fā)射極漏電流IGES(正反) | 25℃:±45nA 150 ℃:±60nA(VGE = ±20V) | IGE: 0-10uA | IGE測(cè)試解析度:1nA IGE 測(cè)量精度:+/-2%+/-5nAVGE輸出精度:+/-2%+/-0.2V | Vge: +/-5-40V VCE: 0V tp(脈寬): 40-100ms, |
靜態(tài) | 集電極-發(fā)射極電壓BVCES 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 25℃:750V 水印*西安天光測(cè)控*水印 | VCE: 0-1500V | VCE測(cè)試解析度:1V VCE 測(cè)量精度:+/-0.5%+/-2VICE輸出精度:+/-5% VCE輸出精度:+/-1%+/-1V | VGE=0V ICE: 0.1-100mA VCE max: 100-1500V tp(脈寬): 5-200ms |
靜態(tài) | 集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 25℃:1.45V 125 ℃:1.60V150℃:1.65V (VGE = 15V; IC = 550A) | VCE: 0-10V | VCE測(cè)試解析度:1mV VCE 測(cè)量精度:+/-1%+/-1mVIC輸出精度:+/-3%+/-0.2A VGE輸出精度:+/-2%+/-0.2V | VGE: 1-30V ICE: 2-2000A tp(脈寬): 500us |
靜態(tài) | 集電極-發(fā)射極截止電流ICES 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 25℃:<0.5mA 125 ℃:<20mA150℃:10mA (VCE=750V) | ICE: 0-300mA | ICE測(cè)試解析度:ICE*大值的0.1% ICE測(cè)量精度:+/-2%+/-10uA VCE 輸出精度:+/-1%+/-1VIC*大值輸出精度:+/-5% | VGE=0V VCE: 100-1500V ICE max: 0.1–100mA tp (脈寬): 5 -200ms |
靜態(tài) | 柵極-發(fā)射極閥值電壓測(cè)試VGETH | 25℃:5.9V (IC=20mA) 水印*西安天光測(cè)控*水印 | VGE: 0-20V | VGE測(cè)試解析度:5mV VGE 測(cè)量精度:+/-1%+/-5mVIC輸出精度:+/-3%+/-0.05mA | VGE=VCE ICE: 0.1mA –100mA tp (脈寬): 2-10ms |
靜態(tài) | 二極管壓降測(cè)試VF 水印*西安天光測(cè)控*水印 | 25℃:1.45V 125 ℃:1.50V150℃:1.50V (IF=550A) 水印*西安天光測(cè)控*水印 | VEC: 0-10V | VEC測(cè)試解析度:1mV VEC 測(cè)量精度:+/-1%+/-1mVIEC輸出精度:+/-3%+/-0.2A | VGE=0V IEC: 2-2000A tp(脈寬): 500us |
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? 系統(tǒng)介紹
主要針對(duì)半導(dǎo)體功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試而開發(fā)設(shè)計(jì)。通過DUT適配器的轉(zhuǎn)換,可實(shí)現(xiàn)對(duì)各種封裝形式的 IGBTs,MOSFETs,DIODEs 等半導(dǎo)體器件的靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試,包括器件、模塊以及DBC襯板和晶圓。水印*西安天光測(cè)控*水印
設(shè)備融入了自動(dòng)化及智能化的設(shè)計(jì)理念及功能,支持批量上下料并進(jìn)行全自動(dòng)測(cè)試。用于規(guī)模化量產(chǎn)可節(jié)省人力并提高測(cè)試產(chǎn)能,適合產(chǎn)線量測(cè)以及器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,設(shè)備由主控計(jì)算機(jī)操控,測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)上傳以及保存。測(cè)試能力包含輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、擊穿特性、漏電流、閾值電壓、二極管壓降等。產(chǎn)品功能及輸出功率進(jìn)行了模塊化設(shè)計(jì),滿足用戶潛在的后期需求,*高測(cè)試電壓電流可擴(kuò)展至10KV/10KA,變溫測(cè)試支持常溫到200℃水印*西安天光測(cè)控*水印
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