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  • IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備

ST-HTGB_X IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備

參考價(jià)
399.00
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
規(guī)格
  • 0-5200V DC399.00元99 件 可售
  • 型號ST-HTGB_X
  • 品牌其他品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2023-11-10
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量32
  • 人氣值6495
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公司簡介:西安天光測控技術(shù)有限公司 是一家專業(yè)從事 半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備 研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的*。產(chǎn)品有半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數(shù)及可靠性和老化測試。靜態(tài)單脈沖(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))動(dòng)態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg)Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。環(huán)境老化測試(包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等)熱特性測試(包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等)各類全系列測試設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和下游產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈)




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產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制
IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備
可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的
IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備 產(chǎn)品詳情


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IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備

型號:ST-HTXB_X系列

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB(高溫反偏)、HTGB(高溫柵偏)、H3TRB(高溫高濕反偏)歡迎垂詢:Tel:173 -4295 -2894


?產(chǎn)品簡述
    該試驗(yàn)系統(tǒng)是依據(jù) GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標(biāo)準(zhǔn)要求對器件測試,將柵極與發(fā)射極短接,在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓,同時(shí)檢測直流電壓與漏電流的值。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫,并可通過軟件輸入模塊結(jié)殼熱阻,結(jié)合產(chǎn)生的耗散功率,當(dāng)溫度與漏電流超過設(shè)定值后,切斷電源,給出警告信號。此設(shè)備是電力電子器件環(huán)境老化測試的重要檢測設(shè)備,用于驗(yàn)證*穩(wěn)定情況下器件的漏電流。系統(tǒng)*大測試電壓5000V(可擴(kuò)展至10KV)??梢詫?shí)現(xiàn)對IGBT器件集電極-發(fā)射極電壓Vce、集電極發(fā)射極電流Ices、殼溫Tc 、時(shí)間等各項(xiàng)參數(shù)的檢測,根據(jù)程序設(shè)定自動(dòng)完成測試,記錄保存測試數(shù)據(jù)并且可以瀏覽和導(dǎo)出。

測試夾具采用氣動(dòng)控制單面加熱型。工作時(shí)通過溫控儀和其他控制系統(tǒng)設(shè)定溫度和時(shí)間,具備自動(dòng)檢測溫度、超溫報(bào)警、超壓報(bào)警、過流保護(hù)及安全連鎖、緊停等功能,異常時(shí)切斷主電源


IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備
?產(chǎn)品簡述
? 可以通過計(jì)算機(jī)設(shè)定試驗(yàn)參數(shù)(Vce、Ices、Tc、時(shí)間、采樣周期)和監(jiān)控參數(shù)(Vce、Ice、Tc、T,實(shí)時(shí)采集并記錄試驗(yàn)過程中每個(gè)工位的溫度(Tc)、時(shí)間、電壓、漏電流等,并可隨時(shí)瀏覽數(shù)據(jù)。

? 當(dāng)被測器件失效時(shí)(Ices超限),系統(tǒng)能自動(dòng)檢測、報(bào)警,并可及時(shí)切斷高壓電源(不需要中斷加熱),停止試驗(yàn),該失效點(diǎn)的詳細(xì)數(shù)據(jù)會(huì)被記錄下來,并記錄失效時(shí)間節(jié)點(diǎn)。

? 試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存可以設(shè)定保存的時(shí)間間隔,設(shè)定時(shí)間范圍為:10s-600s,但當(dāng)器件檢測失效時(shí),可以自動(dòng)保存失效前至少一個(gè)采樣時(shí)間周期的詳細(xì)數(shù)據(jù),有助于對器件失效進(jìn)行分析。

? 該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果,并可以將測試結(jié)果轉(zhuǎn)換為“EXCEL”并保存。

? 安全防護(hù)1:該設(shè)備具有超溫保護(hù)、安全聯(lián)鎖等。

? 安全防護(hù)2:配備獨(dú)立于溫控系統(tǒng)的干觸點(diǎn)超溫保護(hù)裝置,在電路的發(fā)熱位置配溫度傳感器,一旦有異常超溫現(xiàn)象,發(fā)出警報(bào)并自動(dòng)切斷設(shè)備電源。

? 安全防護(hù)3:設(shè)備操作門配有安全連鎖開關(guān),操作面板配置急停開關(guān),保證測試及設(shè)備維護(hù)時(shí)人員安全。



?電氣原理圖
依據(jù)GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 對器件進(jìn)行測試。原理圖如下所示



     說明:將被測IGBT柵極與發(fā)射極短接,在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓,同時(shí)檢測直流電壓與漏電流的值,輸出給隔離板并反饋給計(jì)算機(jī),來顯示實(shí)時(shí)的電壓和電流值。測試過程中有溫度傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫,通過模擬隔離板后反饋給計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)溫度。

其中,被測兩端的電壓可以通過計(jì)算機(jī)程序控制輸出給高壓直流電源。漏電流和溫度的保護(hù)值可以通過計(jì)算機(jī)程序設(shè)定,如達(dá)到設(shè)定保護(hù)值,設(shè)備控制系統(tǒng)保護(hù),并通過計(jì)算機(jī)程序主頁面下的故障顯示和面板保護(hù)指示燈顯示。



?參數(shù)指標(biāo)




產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀

半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)測試(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)

動(dòng)態(tài)測試(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)

環(huán)境老化測試(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)

熱特性測試(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)

可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件












熱門產(chǎn)品
產(chǎn)品名稱參考價(jià)地區(qū)公司名稱更新時(shí)間 
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SDJ-3BS,SDJ-3LS型振動(dòng)監(jiān)測保護(hù)儀 電子/半導(dǎo)體檢測儀器 面議 上海市 上海驊鷹自動(dòng)化儀表有限公司 2023-04-01 在線詢價(jià)
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