電子束曝光技術(shù)是在計算機控制下,按照加工要求的圖形,利用聚焦后的電子束對基片上的抗蝕劑進行曝光,在抗蝕劑中產(chǎn)生具有不同溶解性能的區(qū)域,根據(jù)不同區(qū)域的溶解特性,利用具有選擇性的顯影劑進行顯影,溶解性強的抗蝕劑部分被去除,溶解性差或不溶的部分保留下來,就可以得到所需要的抗蝕劑圖形。正文編輯區(qū)域參考資料編輯區(qū)域
查看詳情電子束曝光技術(shù)是在計算機控制下,按照加工要求的圖形,利用聚焦后的電子束對基片上的抗蝕劑進行曝光,在抗蝕劑中產(chǎn)生具有不同溶解性能的區(qū)域,根據(jù)不同區(qū)域的溶解特性,利用具有選擇性的顯影劑進行顯影,溶解性強的抗蝕劑部分被去除,溶解性差或不溶的部分保留下來,就可以得到所需要的抗蝕劑圖形。正文編輯區(qū)域參考資料編輯區(qū)域
查看詳情摘要 GASONICS/NOVELLUSPEPIRIDIADL二手刻蝕機現(xiàn)貨制造商:GASONICS/NOVELLUS模型:PEPIRIDIADL類別:ETCHERS/ASHERS年份:2006年晶圓尺寸:8"設(shè)備詳情:Stripper/Asher
在線詢價摘要用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD;具備近100種膜層工藝。應(yīng)用領(lǐng)域:芯片封裝、半導(dǎo)體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊(SAW器件...
在線詢價摘要Laser MBELaser MBE特點模塊化概念,Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊UHV PLD主腔室、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸*的工藝自動化功能,可實現(xiàn)超晶格生長溫度測量準確的耐氧襯底加熱器,1000 ℃,也可以選配激光加...
在線詢價摘要RIE反應(yīng)離子刻蝕機NRE-3500(A)全自動RIE反應(yīng)離子刻蝕機概述:獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持到...
在線詢價摘要 專業(yè)的沉積設(shè)備制造商,為各個領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學(xué)氣相沉積、離子泵等。
在線詢價摘要NRE-4000型RIE-PE刻蝕機:提供PC控制的PE刻蝕RIE刻蝕一體機,配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓...
在線詢價摘要NRE-3000型RIE-PE刻蝕機:PC控制的RIE刻蝕PE刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品,不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計...
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