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SEMILAB發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000
| 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 加工定制 | 否 |
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SEMILAB薄膜厚度和電阻率測量裝置WMT
SEMILAB薄膜厚度和電阻率測量裝置WMT
光致發(fā)光PLl-101/A, PLI-103/A,壽命測量裝置WML,WLL,薄膜厚度和電阻率測量裝置WMT,WLT,晶體形狀測量裝置TTR-300,發(fā)射極片電阻測量裝置CMS,CLS,激光橢圓儀SE-100IL,LE-100IL
產(chǎn)品介紹
用于晶體和電池檢測的光致發(fā)光設(shè)備快速可靠的在線光致發(fā)光設(shè)備，用于在從切割晶體到成品電池的所有加工階段對晶體和電池質(zhì)量進(jìn)行無損測量?？梢钥刂普麄€制造階段的材料質(zhì)量。高質(zhì)量的晶體可生產(chǎn)出高效的電池，從而降低制造成本。
對厚度、TTV 和電阻率進(jìn)行高速、非接觸式評估。厚度和電阻率是光伏應(yīng)用中硅片的關(guān)鍵質(zhì)量控制參數(shù)。WLT 型號（WLT-1、WLT-3、WLT-5）在線薄膜厚度和電阻率測量系統(tǒng)提供 1-5 點厚度和 1 點電阻率，用于全自動晶圓生產(chǎn)線的在線質(zhì)量控制滿足要求的高吞吐量。WMT 型號（WMT-1、WMT-3）薄膜厚度和電阻率測量系統(tǒng)允許在不停止傳送帶的情況下進(jìn)行晶體測量（“動態(tài)"測量）。
兩側(cè)的厚度、電阻率和鋸痕都可以用這個太陽能硅片輪廓測量系統(tǒng)測量。
發(fā)射極擴(kuò)散后，發(fā)射極薄層電阻是 PV 應(yīng)用中硅晶片的關(guān)鍵質(zhì)量控制參數(shù)。
CLS 型號（CLS-1A、CLS-3A、CLS-5A）的發(fā)射極薄層電阻測量系統(tǒng)以高吞吐量測量 1 到 5 個點的薄層電阻，以滿足全自動電池生產(chǎn)線中在線質(zhì)量控制的要求。
CMS 型號（CMS-1A、CMS-3A）的發(fā)射極薄層電阻測量系統(tǒng)允許在不停止傳送帶的情況下測量晶圓（“On the Fly"測量）。因此，它實現(xiàn)了高通量，以滿足電池全自動化生產(chǎn)線中在線質(zhì)量控制的要求。
LE-100IL：用于 PV 晶體涂層測量的在線激光橢圓儀
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