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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第3年

18140663476

  • 1000A電流傳感器測(cè)試電源

    1000A電流傳感器測(cè)試電源可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-...

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:33:49 對(duì)比
    1000A電流源1000A大電流源電流傳感器測(cè)試電源傳感器測(cè)試電源
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備

    半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,半導(dǎo)體分立器...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:31:38 對(duì)比
    分立器件測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備分立器件測(cè)試分立器件測(cè)試儀
  • 高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備

    普賽斯高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備,主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/2 8:30:07 對(duì)比
    寬禁帶材料測(cè)試材料測(cè)試設(shè)備高電流測(cè)試大電壓測(cè)試材料測(cè)試平臺(tái)
  • 傳感器測(cè)試平臺(tái)

    普賽斯傳感器測(cè)試平臺(tái)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器(霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等)的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000...

    型號(hào): CTMS1000A 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:27:40 對(duì)比
    電流傳感器測(cè)試直流測(cè)試傳感器霍爾傳感器測(cè)試電流傳感器檢測(cè)電流傳感器didt測(cè)試
  • SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A

    普賽斯SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/2 8:25:43 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備SiC靜態(tài)測(cè)試SiC靜態(tài)參數(shù)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
  • 直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀就找普賽斯儀表,S系列源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的帥先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:24:11 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)分析參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試直流參數(shù)分析直流分析儀
  • 半導(dǎo)體特性曲線分析儀

    半導(dǎo)體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:22:09 對(duì)比
    半導(dǎo)體特性曲線特性曲線分析儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體分析儀特性曲線分析儀
  • 國(guó)產(chǎn)源表IV測(cè)試雪崩光電二極管電性能參數(shù)

    雪崩光電二極管(APD)是一種具有內(nèi)部增益的光電二極管,其原理類似于光電倍增管。在加上一個(gè)較高的反向偏置電壓后(在硅材料中一般為100-200V),利用電離碰撞...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:20:11 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表光電二極管測(cè)試二極管電性能測(cè)試國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表
  • VCSEL激光器測(cè)試窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng)

    VCSEL激光器測(cè)試窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,PL系列脈沖電流源超窄至1us的脈寬,大到30A的脈沖電流,兼容CW和QCW模式,豐富的軟件接口,可廣泛...

    型號(hào): PL201/202 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:18:10 對(duì)比
    VCSEL測(cè)試激光器測(cè)試窄脈沖LIV測(cè)試脈沖LIV測(cè)試LIV測(cè)試系統(tǒng)
  • 高精度直流大電流源表

    普賽斯高精度直流大電流源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富、支持二次開發(fā)集成,可用于大電流脈沖測(cè)試、微弱電流信號(hào)測(cè)試場(chǎng)景,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A

    型號(hào): P100/P200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:16:23 對(duì)比
    大電流源直流大電流源高精度電流源直流電流源高精度源表
  • 半導(dǎo)體器件特性曲線掃描儀

    半導(dǎo)體器件特性曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯儀表專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試領(lǐng)域,基于高精度數(shù)字源表綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái),可提供多種實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)境,搭配豐富的測(cè)試...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:13:54 對(duì)比
    半導(dǎo)體器件特性測(cè)試特性曲線掃描儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體掃描儀半導(dǎo)體器件測(cè)試
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀+IV曲線掃描

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀+IV曲線掃描認(rèn)準(zhǔn)武漢普賽斯儀表,普賽斯是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近5...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:12:22 對(duì)比
    分立器件測(cè)試儀分立器件IV掃描IV曲線掃描儀半導(dǎo)體器件測(cè)試半導(dǎo)體器件掃描
  • 場(chǎng)效應(yīng)mos管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表

    MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體 器 件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) 字 ...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:09:53 對(duì)比
    場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試mos管測(cè)試mos管特性曲線場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線國(guó)產(chǎn)源表
  • 高電壓大電流igbt測(cè)試儀

    普賽斯高電壓大電流igbt測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:07:58 對(duì)比
    igbt測(cè)試儀igbt靜態(tài)測(cè)試儀igbt靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • GaN射頻功放IV測(cè)試脈沖恒壓源

    GaN射頻功放IV測(cè)試脈沖恒壓源支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測(cè)量;主要特點(diǎn)有:脈沖電流大,Z高可至10A;脈沖寬度窄,Z小可低至100ns;支持...

    型號(hào): CP502 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:05:57 對(duì)比
    脈沖恒壓源射頻功放IV測(cè)試GaN器件IV測(cè)試脈沖電壓源脈沖電源
  • 數(shù)字源表在半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試上的應(yīng)用

    霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象,當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí),載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng),霍爾效應(yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:03:47 對(duì)比
    源表霍爾效應(yīng)測(cè)試數(shù)字源表霍爾測(cè)試數(shù)字源表應(yīng)用
  • 多表合一數(shù)字源表

    普賽斯多表合一數(shù)字源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性價(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持;普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善,對(duì)標(biāo)2400、...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:02:08 對(duì)比
    源表數(shù)字源表直流源表多合一源表多合一數(shù)字源表
  • 3500V高壓數(shù)字源表

    普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)、大功率激...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:00:26 對(duì)比
    高壓數(shù)字源表高壓源表高壓源數(shù)字源表源表
  • SMU源表iv測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)MOS管方案

    MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管 等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:58:23 對(duì)比
    源表數(shù)字源表SMU源表場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試MOS管測(cè)試
  • 國(guó)產(chǎn)源表哪家好,認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,高新企業(yè)

    國(guó)產(chǎn)源表哪家好,認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,高新企業(yè),普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試...

    型號(hào): S200B型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:56:37 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表普賽斯源表國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)源表哪家好

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