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半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀iv+cv曲線分析
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
---|---|---|---|
工作環(huán)境 | 25±10℃ | 測(cè)試范圍 | 0~300V/0~3A |
測(cè)試精度 | 0.1% |
半導(dǎo)體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導(dǎo)體元器件,用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中,是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一,在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)化控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)前景廣闊,根據(jù)基材不同,半導(dǎo)體分立器件可分為不同類型,以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC,GaN半導(dǎo)體功率器件。從需求端來看,分立器件受益于新能源、汽車電子、5G通訊射頻等市場(chǎng)的發(fā)展,具有較大的發(fā)展前景。
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì)
豐富的半導(dǎo)體IV特性測(cè)試行業(yè)經(jīng)驗(yàn);
全面的解決方案:二極管、MOSFET、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等;
提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具……
普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具,接線簡(jiǎn)單、方便操作。如需了解更多半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備的信息,歡迎隨時(shí)Z詢普賽斯儀表
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