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武漢普賽斯儀表有限公司
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當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體器件測試儀器儀表>>半導(dǎo)體參數(shù)分析儀>> PMST-3500V半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀

半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀

參   考   價(jià): 1000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號PMST-3500V

品       牌普賽斯儀表

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

更新時(shí)間:2024-07-18 09:58:05瀏覽次數(shù):225次

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產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制
集電極-發(fā)射極最大電壓 3500V 最大電流 6000A
漏電流測試范圍 1nA~100mA
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!

半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀解決方案             

       為應(yīng)對各行各業(yè)對功率器件的測試需求,武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng),可提供IV、CV跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試,具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級擴(kuò)展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),為用戶后續(xù)靈活添加或升級測量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價(jià)比,提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。    

   

       功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作,能夠在從測量設(shè)置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。    


半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀    


        功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至pA漏電流;集電極-發(fā)射極,Z大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;Z高支持 3500V(可擴(kuò)展至10kV)電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率Z高支持1MHz,可靈活選配。    


系統(tǒng)優(yōu)勢/Feature                            

PART                    

01                    

IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量,施加應(yīng)力時(shí)間長,溫度迅速上升,嚴(yán)重時(shí)會使器件損壞,且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms,在測試過程中能夠減少待測物加電時(shí)間的發(fā)熱。                    


                   

半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀                        

PART                    

02                    

高壓下漏電流的測試能力,測試覆蓋率優(yōu)于國際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示,小模塊在高溫測試時(shí)漏電流一般大于5mA,而車規(guī)級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH  Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例:3300V,125℃測試條件下ICES典型值14mA,Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測試幾乎可以W美應(yīng)對所有類型器件的漏電流測試需求。

PART                    

03                    

此外,VCE(sat)測試是表征  IGBT  導(dǎo)通功耗的主要參數(shù),對開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源,脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱,同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。


                   

IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)大電流模塊:50us—500us  的可調(diào)電流脈寬,上升邊沿在 15us(典型值),減少待測物在測試過程中的發(fā)熱,使測試結(jié)果更加準(zhǔn)確。下圖為 1000A  波形:


                   


               

PART                    

04                    

快速靈活的客制化夾具解決方案:強(qiáng)大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何,普賽斯均可以快速響應(yīng)用戶需求,提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點(diǎn),可用于二極管、三極管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管,模組類產(chǎn)品的測試。


半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀                            

結(jié)束語                            


功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品,以往在國際市場上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備保有國出口管制的升級,對國產(chǎn)設(shè)備廠家來說既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。未來,武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢,持續(xù)推動J端產(chǎn)品落地應(yīng)用,真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價(jià)值。半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀就找武漢普賽斯儀表


   半導(dǎo)體參數(shù)測試儀+大電流高壓分析儀




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