普賽斯wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試解決方案

    PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

   針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋 

從Si IGBT、SiC MOS到GaN  HEMT的全覆蓋 

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供  

整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們