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IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!

CP系列GaNGaAs高速器件IV測(cè)試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測(cè)...

普賽斯半導(dǎo)體功率器件分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參...

普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿；單臺(tái)最大3500V的輸出；同步電流測(cè)量；

普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品！國產(chǎn)新一代S300B數(shù)字源...

普賽斯儀表推出的IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿；單臺(tái)最大3500V的輸出；同步電流測(cè)量；

HCPL100型脈沖大電流源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)采集卡使用高性能ADC芯片，分辨率可達(dá)16bits，最高支持2MS/s采樣率。單采集卡支持4通道，且通道間隔離。采集卡可應(yīng)用于我司3插卡...

實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源，可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào)，還可以當(dāng)作表，進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量；支持...

太陽能電池在使用前我們需要對(duì)它的一些性能參數(shù)做一個(gè)測(cè)試了解。對(duì)于太陽能電池片的測(cè)試，我們一般測(cè)試電池的開路電壓VOC、短路電流ISC、最大功率Pmax、填充因子...

通常，氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又...

SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)...

光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴...

普賽斯儀表攜手業(yè)內(nèi)之名廠商共同打造的柔性電子材料測(cè)試系統(tǒng),通過組合不同動(dòng)作的測(cè)試夾具,可以模擬扭、轉(zhuǎn)、彎、折、卷等5種基本測(cè)試動(dòng)作，柔性材料I-V測(cè)試SMU源表...

3500V隔離電壓測(cè)試高壓源具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出...

HCPL系列600A QCW泵浦源老化電源具備CW及QCW輸出能力，單設(shè)備CW輸出電流可高達(dá)60A，輸出電壓可高達(dá)100V，可廣泛應(yīng)用于大功率LED的LIV測(cè)試...

普賽斯儀表專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試領(lǐng)域，基于高精度數(shù)字源表綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，可提供多種實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)境，搭配豐富的測(cè)試夾具及實(shí)驗(yàn)器材，滿足半導(dǎo)體電性能測(cè)試需求，提高測(cè)試效...

IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓電源具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出...

普賽斯儀表推出的瞬變專用電磁脈沖源+高電流脈沖電源50~500us的脈沖寬度；15us的超快上升沿；同步測(cè)量電壓；單臺(tái)最大可達(dá)1000A輸出；可極性反轉(zhuǎn)；