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半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀iv+cv曲線(xiàn)分析
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備IV+CV曲線(xiàn)掃描儀
半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備iv+cv一鍵測(cè)量
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
---|---|---|---|
集電極-發(fā)射極 最大電壓 | 3500V | 最大電流 | 6000A |
精度 | 0.1% |
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法 靈活,方便用戶(hù)添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線(xiàn)、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專(zhuān)用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿(mǎn)足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線(xiàn)。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿(mǎn)足高低溫測(cè)試需求。
測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率最高支持1MHz。
系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);
大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶(hù)快速配置測(cè)試參數(shù);
配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶(hù)測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);
系統(tǒng)參數(shù)
項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 3500V |
Z大電流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15us | |
大電流脈寬 | 50us~500us | |
漏電流測(cè)試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 300V |
Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
精度 | 0.05% | |
Z小電壓分辨率 | 30uV | |
Z小電流分辨率 | 10pA | |
電容測(cè)試 | 典型精度 | 0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ |
測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描,C-V特性曲線(xiàn)掃描等
SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供
整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
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