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半導(dǎo)體測試高電流源50μs-500μs脈寬可調(diào)
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
|---|
HCPL100型脈沖大電流源高為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測試。
器件 | 測試項(xiàng) |
肖特基二極管，整流橋堆 | 瞬時(shí)前向電壓 |
IGBT器件 | IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線阻抗 |
IGBT模塊，IPM模塊 | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓、鍵合線阻抗 |
技術(shù)指標(biāo)
項(xiàng)目 | 參數(shù) |
電流脈寬 | 50μs~500μs |
脈沖電流上升沿時(shí)間 | 典型時(shí)間15μs |
輸出脈沖電流 | 5A~1000A量程，精度0.1%FS±1A |
輸出負(fù)載電壓要求 | <12V@1000A |
DUT電壓測量 | 2獨(dú)立通道 |
遠(yuǎn)端測量，峰值電壓測量（取樣點(diǎn)可配置） | |
0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV | |
0~3V量程，精度0.1%±3mV | |
0~18V量程，精度0.1%±8mV | |
電流脈沖輸出間隔時(shí)間 | 1秒 |
電流脈沖峰值功率 | <12kW |
多設(shè)備并聯(lián) | 支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A |
輸出極性反轉(zhuǎn) | 支持 |
觸發(fā)信號(hào) | 支持trig in及trig out |
通訊接口 | RS232、LAN |
輸入電壓 | 90~264VAC、50/60Hz |
輸入功率 | <750W |
尺寸 | 長516 x寬220 x高160mm |
應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
HCPL100型脈沖大電流源50~500us的脈沖寬度；15us的超快上升沿；同步測量電壓；單臺(tái)最大可達(dá)1000A輸出；可極性反轉(zhuǎn)；
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