【儀表網(wǎng) 儀表上游】上個(gè)世紀(jì)，我國(guó)一直與芯片制造擦肩而過(guò)。新中國(guó)成立之初，由于多年的內(nèi)戰(zhàn)，以及抗美援朝戰(zhàn)爭(zhēng)，我國(guó)未能抓住芯片產(chǎn)業(yè)剛剛興起的契機(jī)。改革開放之后，我國(guó)把重心放在發(fā)展經(jīng)濟(jì)上，仍未對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)給予高度重視。以至于到現(xiàn)在，我國(guó)仍高度依賴進(jìn)口芯片，尤其是芯片，我國(guó)每年要進(jìn)口超過(guò)2千億美元的芯片，2019年更是高達(dá)3千億美元，超過(guò)作為戰(zhàn)略物資的原油，成為進(jìn)口重點(diǎn)商品價(jià)值排名較好。
 

　　在信息化的當(dāng)代，芯片能夠廣泛用于通信設(shè)備、PC/電腦、消費(fèi)電子、汽車電子、醫(yī)療儀器、機(jī)器人、工業(yè)控制等各種電子產(chǎn)品和系統(tǒng)，是制造業(yè)的核心基石。根據(jù)IMF測(cè)算，每1美元半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)值可帶動(dòng)相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來(lái)100美元的GDP，這種價(jià)值鏈的放大效應(yīng)奠定了半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的重要地位。
 

　　因此，對(duì)于芯片國(guó)產(chǎn)化，勢(shì)在必行。
 

　　在半導(dǎo)體領(lǐng)域，芯片流片也就等同于“試生產(chǎn)”，即設(shè)計(jì)完電路以后先小規(guī)模生產(chǎn)幾片幾十片以供測(cè)試用使用，如果測(cè)試通過(guò)后就能開始大規(guī)模量產(chǎn)。中芯FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試完成也就意味著該制程工藝已經(jīng)具備有意義的“良品率”，并且可以嘗試進(jìn)行批量生產(chǎn)。
 

　　中芯是世界較好的集成電路芯片代工企業(yè)之一，也是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)較先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)。主要業(yè)務(wù)是根據(jù)客戶本身或第三者的集成電路設(shè)計(jì)為客戶制造集成電路芯片。
 

　　據(jù)了解，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技已完成基于中芯FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次性通過(guò)。
 

　　在去年，中芯聯(lián)合CEO梁孟松曾經(jīng)透露過(guò)，F(xiàn)inFET N+1工藝的功率和穩(wěn)定性與7nm工藝非常相似，大的不同在于無(wú)需EUV光刻機(jī)也可以實(shí)現(xiàn)。梁孟松表示，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。
 

　　在N+1之后還會(huì)有N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，主要區(qū)別體現(xiàn)在性能及成本上。N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域，成本較低，而N+2面向高性能領(lǐng)域，成本也會(huì)增加。
 

　　提到7nm及以上工藝芯片，勢(shì)必離不開EUV光刻機(jī)，而FinFET N+1和N+2工藝都不會(huì)使用EUV工藝，據(jù)梁孟松介紹，在當(dāng)前的環(huán)境下N+1、N+2代工藝都不會(huì)使用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后，N+2工藝可能會(huì)有幾層光罩使用EUV，之后的工藝才會(huì)大規(guī)模轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。
 

　　說(shuō)起7nm就不得不提到目前世界上僅有的兩家可以量產(chǎn)7nm芯片的晶圓代工巨頭臺(tái)積電和三星。同樣是7nm工藝，臺(tái)積電在早期不使用EUV的情況下搞定了7nm芯片的量產(chǎn)，而且效果還很不錯(cuò)。而三星由于使用EUV設(shè)備初期產(chǎn)能低，成本高，因此沒(méi)有預(yù)想中的順利，比臺(tái)積電稍落后一些。
 

　　芯片在電子學(xué)中是一種把電路小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜集成電路。另有一種厚膜混成集成電路是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。