【儀表網(wǎng) 行業(yè)標準】北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟團體標準T/CASAS 037《SiC MOSFET柵極電荷測試方法》等十一項標準立項獲批。
按照CASAS相關(guān)管理辦法，經(jīng)管理委員會投票，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會(CASAS)通過11項SiC MOSFET測試方面的團體標準立項建議，并分配標準編號如下：
1、T/CASAS 037—20XX 《SiC MOSFET柵極電荷測試方法》
牽頭單位：東南大學(xué)
聯(lián)合單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司、智新半導(dǎo)體有限公司、北京華峰測控技術(shù)股份有限公司、芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院
2、T/CASAS 038—20XX 《SiC MOSFET非鉗位電感開關(guān)(UIS)測試方法》、T/CASAS 039—20XX 《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測試方法》、T/CASAS 040—20XX 《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法》
牽頭單位：北京華峰測控技術(shù)股份有限公司
聯(lián)合單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、東南大學(xué)、智新半導(dǎo)體有限公司、江蘇易矽科技有限公司、華潤微電子封測事業(yè)群、寧波達新半導(dǎo)體有限公司、杭州飛仕得科技股份有限公司
3、T/CASAS 041—20XX 《基于無功負載的車規(guī)級功率模塊變頻測試規(guī)范》
牽頭單位：智新半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)合單位：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司、湖北九峰山實驗室、重慶大學(xué)、山東閱芯電子科技有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、化合積電(廈門)半導(dǎo)體科技有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、深圳市原力創(chuàng)造科技有限公司、東風(fēng)汽車研發(fā)總院、智新科技股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司研發(fā)總院、武漢大學(xué)
4、T/CASAS 042—20XX 《SiC MOSFET高溫柵偏試驗方法》、T/CASAS 043—20XX 《SiC MOSFET高溫反偏試驗方法》、T/CASAS 044—20XX 《SiC MOSFET高溫高濕反偏試驗方法》
牽頭單位：忱芯科技(上海)有限公司
聯(lián)合單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、湖北九峰山實驗室、中國科學(xué)院微電子研究所、復(fù)旦大學(xué)、廣電計量檢測集團股份有限公司、芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司、安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司、東北電力大學(xué)、吉林省特種設(shè)備監(jiān)督檢驗中心
5、T/CASAS 045—20XX 《SiC MOSFET動態(tài)柵偏試驗方法》
牽頭單位：復(fù)旦大學(xué)寧波研究院、復(fù)旦大學(xué)
聯(lián)合單位：清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、重慶大學(xué)、杭州三海電子科技股份有限公司、中國科學(xué)院微電子研究所、深圳市禾望電氣股份有限公司、智新半導(dǎo)體有限公司、常州銀河世紀微電子股份有限公司
6、T/CASAS 046—20XX 《SiC MOSFET動態(tài)反偏(DRB)試驗方法》、T/CASAS 047—20XX 《SiC MOSFET動態(tài)高溫高濕反偏(DH3RB)試驗方法》
牽頭單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所
聯(lián)合單位：忱芯科技(上海)有限公司、中國科學(xué)院電工研究所、比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院
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