智能電源外設(shè)
A-B 1756-PA75R系列MCU在外設(shè)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低功耗智能,允許外設(shè)在深度睡眠模式下通過備用時(shí)鐘源自主運(yùn)行。L 系列外設(shè)猶如微型內(nèi)核,能夠在不喚醒主內(nèi)核或系統(tǒng)的前提下執(zhí)行任務(wù),從而大大降低功耗,提高電池使用壽命。例如,Kinetis L 系列 MCU包含異步DMA (ADMA)喚醒功能,允許某些外設(shè)在停止和VLPS模式下請求DMA傳輸。ADMA模塊將在外設(shè)和存儲(chǔ)器之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,而無需返回運(yùn)行模式,也無需請求處理器進(jìn)行干預(yù)。支持外設(shè)在深度睡眠狀態(tài)下繼續(xù)運(yùn)行,可向SRAM中的數(shù)據(jù)陣列來回傳輸數(shù)據(jù),直至收集到足夠數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。其它競爭產(chǎn)品則需要喚醒到全運(yùn)行模式去激活外設(shè)并完成數(shù)據(jù)收集階段,然后返回深度睡眠模式。
例如,回到圖 1。采用A-B 1756-PA75R系列 MCU,數(shù)據(jù)收集階段在深度睡眠模式下開始并顯示了低功耗定時(shí)器觸發(fā)的三個(gè)周期性事件。該定時(shí)器觸發(fā)低功耗ADC轉(zhuǎn)換啟動(dòng),并通過ADC內(nèi)置的比較特性將結(jié)果與預(yù)編程的閾值進(jìn)行對比。該特性可避免一旦得出的值不在理想?yún)?shù)范圍內(nèi)時(shí)需要存儲(chǔ)結(jié)果。請注意,前兩個(gè)事件不觸發(fā)去存儲(chǔ)結(jié)果。然而,zui后一個(gè)事件則會(huì)觸發(fā),而不用喚醒CPU來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),相當(dāng)微小的能量溢出。這是可以實(shí)現(xiàn)的,因?yàn)長系列的節(jié)能型外設(shè)支持異步DMA 喚醒功能,可以將ADC結(jié)果存儲(chǔ)到SRAM供以后處理,在這個(gè)過程中CPU依然處于睡眠狀態(tài)。在DMA傳輸完成后,MCU會(huì)自動(dòng)返回深度睡眠模式。在通過低功耗UART收集或傳輸完足夠的數(shù)據(jù)后,CPU便可以‘喚醒’,并開始計(jì)算階段。這只是Kinetis L 系列 MCU提供節(jié)能外設(shè)的其中一個(gè)例子。
為了zui大限度地利用深度睡眠電源模式的高能效,A-B 1756-PA75R外設(shè)的智能集成是至關(guān)重要的。在傳統(tǒng)的MCU中,必須激活主時(shí)鐘和處理器內(nèi)核才能執(zhí)行任務(wù),即使是執(zhí)行發(fā)送或接收數(shù)據(jù)、捕捉或生成波形或采樣模擬信號等小任務(wù)也是如此。
表3
A-B 1756-PA75R系列MCU在正面比拼的競爭中勝出
在與競爭對手相應(yīng)的16位低功耗MCU展開正面能效基準(zhǔn)挑戰(zhàn)賽中,L 系列證明它是能效zui高的入門級MCU。每個(gè)MCU都由*相同的充電電路供電,并都對低功耗運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化。這些MCU執(zhí)行重復(fù)周期的EEMBC CoreMark®迭代,然后進(jìn)入五秒鐘的深度睡眠期,連續(xù)重復(fù)上述操作直到zui后一個(gè)MCU依然能夠激活。在與同級別超高效競爭對手對比中,Kinetis L 系列MCU是堅(jiān)持到zui后的那款。
A-B 1756-PA75R系列MCU將*的處理能力與的低功耗運(yùn)行相結(jié)合,測量得出的結(jié)果為15.9 CoreMark/mA,遠(yuǎn)高于競爭產(chǎn)品的參數(shù)(參見下圖2)。
圖 2:A-B 1756-PA75R集*的處理能力與的低功耗運(yùn)行于一身,以測量結(jié)果為15.9 CoreMark/mA,的優(yōu)異成績勝出。
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