普賽斯HCPL100型半導體測試高電流源50μs-500μs脈寬可調(diào)為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15us)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。
設備可廣泛應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓”掃描測試。
技術指標
電流脈寬 50μs~500μs
脈沖電流上升沿時間 典型時間15us
輸出脈沖電流 5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A
輸出負載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測量 2獨立通道
DUT電壓測量 遠端測量,峰值電壓測量(取樣點可配置)
DUT電壓測量 0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV
DUT電壓測量 0~3V量程,精度0.1%±3mV
DUT電壓測量 0~18V量程,精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A
支持輸出極性反轉(zhuǎn)
觸發(fā)信號 支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓 90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸:長516x寬250x高160mm
半導體測試高電流源50μs-500μs脈寬可調(diào)應用領域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊