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  • 大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)

SCR-DC8000 大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)

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  • 型號(hào)SCR-DC8000
  • 品牌其他品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2024-03-21
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量70
  • 人氣值398
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  陜西天士立科技有限公司,專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來自院所高校和企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。產(chǎn)品成熟可靠,久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn),在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。


      “半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場(chǎng)景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。


     “環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。


     “電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備;電氣自動(dòng)化設(shè)備,電冶、電化學(xué)整流裝置;電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源,感應(yīng)加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備;晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器;遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng);光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板;SVC無功靜補(bǔ)裝置等。

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大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000可測(cè)設(shè)定前沿電流和后沿電流的壓降。可測(cè)門檻電壓和斜率電阻
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

 

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

基礎(chǔ)信息

 

ü門極觸發(fā):VGT、IGT

ü維持電流:IH、IL

ü阻斷參數(shù):VD、VR、ID、IR

ü壓降參數(shù):VTM、ITM

ü電壓上升率:dv/dt

ü電流變化率:di/dt

ü關(guān)斷時(shí)間:Tq

ü恢復(fù)電荷:Qr、Irr、Trr

 

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

主要量程

?陽極電壓:12V

?陽極串聯(lián)電阻:12Ω

?門極觸發(fā)電壓:0.3—5.00V

?門極觸發(fā)電流:1—500mA

?維持電流:1—500mA

?擎住電流:5—1000mA

?通態(tài)電流:600—8000A

?通態(tài)壓降:0.3—9.99V

?阻斷電壓:200—8000V

?正反向漏電流:1—250mA

?dv/dt箝位電壓VDM:500~4KV

?電壓上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

?通態(tài)電流:200—2000A

?反向電壓:50—200V

?再加電壓:500—3000V

?關(guān)斷時(shí)間:4—1500μS

?反恢電荷:200μQ—15000μQ

?再加電壓上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS

?di/dt:10A/μS、20A/μS,

 

 

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

氣動(dòng)夾具

?壓力方式:氣壓

?壓力范圍:10~60KN

?壓力分辨率:0.1KN

?控溫范圍:70~180℃

?控溫精度:70℃—125℃±1.0℃

?控溫精度:125℃—180℃±1.5℃

?溫度分辨率:0.1℃

?夾頭耐壓:10KV

?夾頭行程:≥80mm

?臺(tái)面直徑:大于Φ130mm

?夾頭找平:≥1mm

?夾頭平面度:≤20μm

?導(dǎo)柱間跨距:≥310mm

?夾頭電流:10000A

?夾頭極性:上為陰極,下為陽極

?采樣:上下夾頭采樣頂針同軸

?電源:AC50HZ/220V功率≤5KW 

?夾具可安裝適配器,應(yīng)對(duì)不同封裝

 

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

系統(tǒng)單元

?門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元

?維持電流測(cè)試單元

?擎住電流測(cè)試單元

?阻斷參數(shù)測(cè)試單元

?通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元

?電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元

?關(guān)斷時(shí)間參數(shù)測(cè)試單元

?恢復(fù)電荷參數(shù)測(cè)試單元

?自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)壓力夾具

?計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

?PLC控制系統(tǒng)

 

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

性能指標(biāo)

通態(tài)壓降測(cè)試

通態(tài)電流:600—8000A±3%±10A;

通態(tài)壓降:0.3—9.99V±3%±10mV;

電流達(dá)到電流峰值的時(shí)間:≥5ms

可測(cè)設(shè)定前沿電流和后沿電流的壓降??蓽y(cè)門檻電壓和斜率電阻

(此功能由單獨(dú)“通態(tài)特性曲線”測(cè)試程序完成)

測(cè)試頻率:單次

計(jì)算機(jī)顯示:ITM/IFM,VTM/VFM數(shù)值

dv/dt測(cè)試

dv/dt箝位電壓VDM:500—4000V,數(shù)碼設(shè)定,數(shù)字表顯示。

dv/dt箝位電壓VDM靜態(tài)精度:±5%

電壓上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

電壓上升率誤差:±10%(在再加電壓2000V(負(fù)載電容2.2nF)

下作為考核點(diǎn))過壓時(shí)間超過0.5us的瞬態(tài)電壓<200V。

信號(hào)指示:具有測(cè)試信號(hào)指示、通過指示、失敗指示。

測(cè)試頻率:約0.5HZ;電壓近似線性上升率"

高壓伏安特性

阻斷電壓:200—8000V±3%±10V;

電壓分辨率:0.01KV

正反向漏電流:1—250mA±3%±0.1mA;

正反向漏電流分辨率:0.1mA;

顯示阻斷特性曲線,設(shè)備有輸出電壓和電流保護(hù)功能。

測(cè)試頻率:5或50HZ

電壓調(diào)節(jié):手動(dòng)調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)顯示阻斷電壓和漏電流數(shù)值

門極觸發(fā)特性

陽極電壓:12V

陽極串聯(lián)電阻:12Ω

門極觸發(fā)電壓:0.3—5.00V±5%±10mV;

門極觸發(fā)電流:1—500mA±5%±1mA;

測(cè)試頻率:單次計(jì)算機(jī)顯示VGT、IGT數(shù)值

擎住電流

陽極電壓:12V

擎住電流:5—1000mA±5%±1mA;

計(jì)算機(jī)顯示:IL數(shù)值

維持電流

陽極電壓:12V

維持電流:1—500mA±5%±1mA;

測(cè)試頻率:單次預(yù)導(dǎo)通電流:約10A、20A和40A三檔

計(jì)算機(jī)顯示:IH數(shù)值

關(guān)斷時(shí)間及恢復(fù)電荷

通態(tài)電流:200—2000A±5%(數(shù)碼設(shè)定),

脈寬4Ms。

反向電壓:50—200V

反向設(shè)定電壓靜態(tài)精度±5%(數(shù)碼設(shè)定);

再加電壓:500—3000V

再加電壓靜態(tài)設(shè)定精度±5%(數(shù)碼設(shè)定);

關(guān)斷時(shí)間:4—1500μS±5%±1μS;

反向恢復(fù)電荷:大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ;

重復(fù)性:快速晶閘管±50μQ;普通晶閘管±100μQ;

再加電壓上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS三檔。

±10%再加電壓在1000V(負(fù)載電容2.2nF)下作為考核點(diǎn)。

電壓上升率按指數(shù)法計(jì)算。

反向電流di/dt:10A/μS、20A/μS,精度±15%,電流在

1500A下作為考核點(diǎn)。

測(cè)試頻率:約0.5HZ;

配有電壓電流的校驗(yàn)程序(僅供校驗(yàn)用)"

 

大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCR-DC8000

關(guān)鍵詞:控制系統(tǒng)
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