IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)ST-AC3500
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)ST-AC3500
測(cè)試條件
Vcc范圍：50-3300
VIC范圍：50-200A（雪崩條件）
IC范圍：50-1500A
L電感：10/50/150/5001000/2000uH
VGE（on/off）：±30V(電壓可設(shè)置)
tp測(cè)試時(shí)間：10-1000us（自動(dòng)計(jì)算）
twsoff脈沖間隔：10-50us（可設(shè)置）
電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R(Qg條件）
IscMAX（）：6KA/10KA(SC條件）
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)ST-AC3500
電器配置
n高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV
n高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA
n短路電流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs）
n驅(qū)動(dòng)電壓/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V
nRg：0.5R、1R、2R、4R（支持手動(dòng)和自動(dòng)切換）
n負(fù)載/L：10 50 150 500 1000 2000 uH
n電流/I：6000 3000 1500 600 400 200 A
√標(biāo)配，開關(guān)特性/Turn_ON/OFF_L
√標(biāo)配，二極管反向恢復(fù)特性/Qrr-FRD
√標(biāo)配，柵電荷/Qg
?選配，短路特性/SC
?選配，單/雙脈沖安全工作區(qū)/RBSOA(Sp/Dp)
?選配，雪崩耐量/UIS主要配置
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)ST-AC3500
參數(shù)指標(biāo)
√標(biāo)配（阻性/感性）開關(guān)測(cè)試單元/Turn_ON/OFF_L
開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
開通/關(guān)斷延遲td(on)/td(off）：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
上升/下降時(shí)間tr/tf：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff：0.5-10000mJ解析度：0.1mJ
關(guān)斷拖尾時(shí)間tz：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
導(dǎo)通/關(guān)斷峰值電壓Vce/VCEpk：50-1400V解析度/精度：1V@±4%
通態(tài)峰值電流Ipeak/Ic：20-1500A解析度/精度：1A@±4%
√標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Qrr_FRD
反向恢復(fù)時(shí)間Trr：10-1000ns解析度和精度：1ns@±4%
反向電流Irm：20A-1500A解析度：1A
反向恢復(fù)電荷Qrr：1nC-30000µC解析度：1nC
反向恢復(fù)損耗Erec：0.5-10000mJ，解析度：0.1mJ
di/dt@dv/dt：10A-8000A/us@0.2-5KV/us
反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：50-1400V解析度和精度：1ns@±4%
正向關(guān)斷電流IFM：20A-1500A解析度和精度：1ns@±4%
√標(biāo)配 柵極電荷單元/Qg
閾值電荷Qg(th)：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
柵電荷Qg：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
平臺(tái)電壓vg：.-10V~+20v解析度/精度：0.1V@±2%
柵源電荷Qgs：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
柵漏電荷Qgd：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
?選配 短路特性測(cè)試單元/SCSOA
短路電流Isc：6000A解析度/精度：1A@±4%
短路時(shí)間Tsc：5~100us
?選配 安全工作區(qū)/RBSOA
RBSOA：VCE/50-1.4KV，Ic/20-2KA，
VCE/Ic解析度/精度：1V/1A@±4%
?選配 雪崩特性測(cè)試單元/UIS
單/重復(fù)脈沖雪崩能量EAS/EAR：1~2000J解析度：0.1mJ
單脈沖雪崩電流IAS：5-200A解析度和精度1A@±4%;
單脈沖雪崩功率PAS：140KW
