Ga2O3氧化鎵單晶襯底(直徑2英寸)
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詳細(xì)內(nèi)容
氧化鎵是新一代功率半導(dǎo)體和深紫外光電子半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為4.9eV,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于氮化鎵(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁帶寬度。在功率半導(dǎo)體方面,氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度可達(dá)8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用,已成為當(dāng)前研究與開發(fā)的熱點(diǎn)和重點(diǎn)。為此,我們提供2英寸的Ga2O3單晶襯底。
標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)參數(shù):
備注:如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3單晶襯底,請(qǐng)與我們聯(lián)系。