Ga2O3氧化鎵單晶襯底(直徑2英寸)
詳細內(nèi)容
氧化鎵是新一代功率半導(dǎo)體和深紫外光電子半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為4.9eV,遠遠大于氮化鎵(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁帶寬度。在功率半導(dǎo)體方面,氧化鎵的擊穿電場強度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化鎵的擊穿電場強度可達8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用,已成為當(dāng)前研究與開發(fā)的熱點和重點。為此,我們提供2英寸的Ga2O3單晶襯底。
標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)參數(shù):
備注:如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3單晶襯底,請與我們聯(lián)系。