產(chǎn)品介紹:
KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設(shè)備由KJ-T1200滑動(dòng)式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成 ,溫度可以達(dá)到1200度,極限真空可以達(dá)到10-3Pa,供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì),可以對(duì)多種氣體進(jìn)行精確的混氣,然后導(dǎo)入到管式爐內(nèi)部。
KJ-T1200-S60K-4C系列快速退火爐爐管兩端安裝真空法蘭,真空度用分子泵可以到10-5Torr,機(jī)械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對(duì)滑軌,可用手動(dòng)滑動(dòng)。加熱和冷卻速率可達(dá)100°C/m。為取得加熱,可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度,然后移動(dòng)爐子到樣品位置。為獲得冷卻,可在樣品加熱后移動(dòng)爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達(dá)到10°C/s,是低成本快速熱處理的理想爐子。
應(yīng)用范圍:
化學(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法,是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用廣泛的用來(lái)沉積薄膜材料的技術(shù),包括大范圍的絕緣材料,以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD實(shí)驗(yàn)、真空退火用的理想產(chǎn)品。
規(guī)格參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 四路高溫真空CVD設(shè)備 | |
產(chǎn)品型號(hào) | KJ-T1200-S60K-4C | |
工作溫度 | 1100°C | |
溫度 | 1200°C | |
加熱速率 | 建議:0- 10°C/min {:0-20℃/min} | |
加熱區(qū) | 三溫區(qū) | |
加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 200+350+200mm | |
控溫精度 | ±1°C | |
爐管直徑 | OD60mm | |
爐管長(zhǎng)度 | 大約1200mm-1400mm | |
真空法蘭 | 兩個(gè)不銹鋼密封法蘭,法蘭上已經(jīng)安裝數(shù)字式真空顯示計(jì),和閥門(mén)通過(guò)機(jī)械泵真空壓力可以達(dá)到5x10-2 torr,泄漏率6 mtorr/min | |
溫控 | 智能PID多段程序控溫 | |
加熱曲線 | 30段可編程 | |
功率 | 4KW | |
電壓 | 220V,50HZ,單相 | |
質(zhì)子流量計(jì) | 4路精密質(zhì)子流量計(jì):數(shù)字顯示、氣體流量自動(dòng)控制。 MFC 1范圍: 0~100 sccm MFC 2范圍: 0~200 sccm MFC 3范圍: 0~200 sccm MFC 4范圍: 0~500 sccm 氣路:4路 流量精度: 0.2% 進(jìn)氣和出氣接口: 1/4" 卡套 一個(gè)混氣罐。 每路氣路都有一個(gè)獨(dú)立的不銹鋼針閥控制。 通過(guò)控制面板上的旋鈕來(lái)調(diào)節(jié)氣體流量。 |
標(biāo)準(zhǔn)配件:
質(zhì)子混氣系統(tǒng)1臺(tái)、雙旋機(jī)械泵1臺(tái)、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對(duì)、高溫手套1副、剛玉坩堝2個(gè)、氫氣檢漏器1個(gè)、說(shuō)明書(shū)1份
注:坩堝可按用戶需求選配合適的款型
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3、我公司設(shè)提供免費(fèi)的設(shè)備操作培訓(xùn)和簡(jiǎn)單故障排除維修培訓(xùn)。
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6、本公司所有產(chǎn)品均有歐盟CE質(zhì)量認(rèn)證。