Spectra Thick, K-MAC公司的薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng),采用的是光學(xué)技術(shù)方法。在薄膜的表面利用反射光和在下部的界面反射的光之間的干涉現(xiàn)象或是利用光的相位差來決定薄膜的性質(zhì)。這樣我們不但可以測(cè)量薄膜厚度還可測(cè)量光學(xué)常數(shù)。如果是透明薄膜且可維持光的干涉性,用ST系列可測(cè)量任何樣品。通過數(shù)學(xué)計(jì)算多層薄膜的每個(gè)層的厚度都可測(cè)量。由于采用的是用戶友好界面,操作十分簡(jiǎn)單。樣品不會(huì)受到損害,并可快速測(cè)量從Å到數(shù)十㎛的大范圍厚度。
技術(shù)參數(shù):
測(cè)量方法: 非接觸式
測(cè)量原理:反射計(jì)
類型:手動(dòng)的
平臺(tái)尺寸: 4" (可選6" )
活動(dòng)范圍:150 x 120mm(70 x 50mm 移動(dòng)距離)
測(cè)量范圍 :200Å~ 35㎛(根據(jù)膜的類型)
光斑尺寸:20㎛ 典型值 (可選10㎛、50㎛)
測(cè)量速度:1~2 sec./site
物鏡轉(zhuǎn)換器:Quadruple Revolving Mechanism with Inward Tilt
照明類型:12V 35W Tungsten-Halogen Lamp Built-in Control Device & Transformer
尺寸:190 x 265 x 316 mm
重量:12Kg
探頭類型:三目探頭
可供選擇:標(biāo)準(zhǔn)樣品(K-MAC or KRISS or NIST)
應(yīng)用領(lǐng)域:
半導(dǎo)體:Poly-Si, GaAs, GaN, InP, ZnS + Si, Ge, SiGe...
介質(zhì)材料:SiO2, TiO2, TaO5, ITO, ZrO2, Si3N4, Photoresist, ARC,...
平板行業(yè):(包括 LCD, PDP, OLED, ): a-Si, n+-a-Si, Gate-SiNx MgO, AlQ3 , ITO, PR, CuPc, NPB, PVK, PAF, PEDT-PSS, Oxide, Polyimide...
光學(xué)涂層:硬度涂層、增反射薄膜、Color Filters、封裝與功能薄膜...
太陽(yáng)能電池: Doping a-Si(i-type, n-type, p-type), TCO(ZnO, SnO, ITO..)
聚合物:PVA, PET, PP, Dye, Npp, MNA, TAC, PR...
Recordable materials: Photosensitive drum, Video head, Photo masks, Optical disk
其他:示波管上的光阻薄膜材料與掩膜板、金屬薄膜、激光鏡...
主要特點(diǎn):
測(cè)量迅速,操作簡(jiǎn)單
非接觸式,非破壞方式
優(yōu)秀的重復(fù)性和再現(xiàn)性
用戶易操作界面
每個(gè)影像打印和數(shù)據(jù)保存功能
可測(cè)量多達(dá)3層
可背面反射
產(chǎn)品規(guī)格
貨號(hào) | 型號(hào) | 名稱 | 規(guī)格 | 價(jià)格 | 備注 | 購(gòu)買 |
ST2000-DLXn | 薄膜測(cè)厚儀 | 活動(dòng)范圍:150 x 120mm(70 x 50mm 移動(dòng)距離) | 登陸查看 | 可供選擇:標(biāo)準(zhǔn)樣品(K-MAC or KRISS or NIST) | ||
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