采用靈活的探測(cè)手段獲取清晰圖像：Sigma 新的探測(cè)器技術(shù)可以滿足不同需求。表征樣品的形貌、成分及晶體結(jié)構(gòu)等。其中，Sigma 500 可選配 InLens Duo 探測(cè)器擴(kuò)展成像性能，這個(gè)探測(cè)器可同時(shí)獲取形貌和成分信息。利用新一代的二次電子探 測(cè)器 ，信號(hào)強(qiáng)度提高50%，可實(shí)現(xiàn)更高和更高分辨率的圖像。在低真空環(huán)境中，全新的 C2D 和VPSE 探 測(cè) 器，可獲取襯度提升 85% 的清晰圖像.
智能高效的工作流程：Sigma 4 步工作流程就可以讓您控制所有功能。能夠快速獲取圖像、節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間，尤 其是在多用戶環(huán)境下，其優(yōu)勢(shì)更突出 。首先 ，通過直觀的 導(dǎo)航操 作將樣品定位至 電子束下。然后，簡單點(diǎn)擊鼠標(biāo)設(shè)置樣品的成像條件。接下來 ，使用自動(dòng)化智能成像標(biāo)記任意 您感興趣區(qū)域，即可在多個(gè)樣品上 自 動(dòng)采集多組數(shù)據(jù)。最后，SmartBrowse查看圖像及相關(guān)分析數(shù)據(jù) ，以便全面地了解樣品信息。
*的分析系統(tǒng)：Sigma *的 EDS幾何設(shè)計(jì)可大大提升分析性能，特別是對(duì)電子束敏 感 的樣品。您可以使用與以往相比一半的束流來獲取分析數(shù)據(jù)，同時(shí)測(cè)試速度提升1倍。Sigma系列產(chǎn)品能夠提供快速、完整的X射線分析及三維重構(gòu)。將探測(cè)器靠近樣品，可獲得沒有陰影的分析結(jié)果，這得益于8.5 mm 的短分析工作距離和 35°出射角。Sigma *分析系統(tǒng)，是您值得信賴的選擇 。
| 型號(hào) | 蔡司 Sigma 300 | 蔡司 Sigma 500 | |
| 電子槍 | 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 | 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 | |
| 30 kV 分辨率（STEM） | 1.0 nm | 0.8 nm | |
| 15 kV分辨率 | 1.0 nm | 0.8 nm | |
| 1 kV 分辨率 | 1.6 nm | 1.4 nm | |
| 30 kV分辨率（可變氣壓橫式） | 2.0 nm | 1.5 nm | |
| 背散射探測(cè)器（BSD） | HD BSD | HD BSD | |
| 掃描速度 | 50 ns/像素 | 50 ns/像素 | |
| 加速電壓 | 0.02-30 kV | 0.02-30 kV | |
| 放大倍率 | 10-1.000.000x | 10-1.000.000x | |
| 探針電流 | 3 pA-20 nA （100 nA 可選） | 3 pA-20 nA （100 nA 可選） | |
| 圖像處理 | 32 k x 24 k ft ? | 32 k x 24 k 侈素 | |
| 送口 | 10 | 14 | |
| EDS 端口 | 2 （1 個(gè)專用端口） | 3 (2個(gè)專用端口） | |
| ?分濟(jì)率指標(biāo)：系統(tǒng)驗(yàn)收時(shí).工作距離，在1 kV和15 kV高真空條件下獲得的分辨率 | |||
| 真空模式 | |||
| 髙真空 | 配備 | 配備 | |
| 可變壓力 | 10-133 Pa | 10-133 Pa | |
| 樣品臺(tái)類型 | 5軸電動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái) | 5軸機(jī)械優(yōu)中心樣品臺(tái) | 5軸電動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái)選件 |
| 樣品臺(tái)X軸行程 | 125 mm | 130 mm | 125 mm |
| 樣品臺(tái)Y軸行程 | 125 mm | 130 mm | 125 mm |
| 樣品臺(tái)Z軸行程 | 50 mm | 50 mm | 38 mm |
| 樣品臺(tái)T軸傾斜度 | -10-+90 度 | -4-+70 度 | -10-+90 度 |
| 樣品臺(tái)R軸位轉(zhuǎn)角度 | 360°連續(xù) | 360°連續(xù) | 360°連續(xù) |
典型樣品 典型應(yīng)用 | 任務(wù) | 蔡司 Sigma 系列的性能優(yōu)勢(shì) |
| 材料研究 | 新型納米材料的高分辨率成像與分析 | Sigma 500 配合不同的探測(cè)器對(duì)納米材料進(jìn)行的表征。能夠深入分析各 料和新型材料的形貌結(jié)構(gòu)、詳細(xì)成分信息、晶體結(jié)構(gòu)和元素分布。 |
| 涂層和薄膜的分析 | 新型 ETSE 探測(cè)器可以在高真空模式下獲取無噴鍍非導(dǎo)電顆粒的深層次表面細(xì)節(jié)信 息。 aSTEM 探測(cè)器能夠?qū)Ρ∧そY(jié)構(gòu)和納米顆粒進(jìn)行高分辨率透射電子成像。 HDBSD 探測(cè)器可在低電壓下提供清晰的涂層成分信息。 | |
| 表征各種形態(tài)的碳材料及其他 2D 材料 | 將高分辨率 SEM 成像和 EDS 元素分析與拉曼顯微成像技術(shù)組合，分析石墨烯層、C60 的性質(zhì)、碳納米管（ CNT）純度和類金剛石鍍膜。表征碳或其他 2D 材料中的缺陷、位錯(cuò)和應(yīng)力信息。 | |
| 聚合物材料的成像與分析 | 使用 SEM 和拉曼關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)區(qū)分不同類型的聚合物。分析纖維和聚合物中的應(yīng)力。利用高襯度圖像和拉曼光譜圖像測(cè)定聚合物的結(jié)晶度。 | |
| 研究電池的老化效應(yīng)并改進(jìn)電學(xué)性能 | 結(jié)合 SEM 高分辨率成像與 EDS 元素分析對(duì)電池的陰極材料進(jìn)行研究， 并利用 Raman 光譜成像對(duì)陽極材料進(jìn)行分析。獲取有關(guān)碳陽極、聚合物隔膜、金屬氧化物和電解質(zhì)的全 面信息。確保不能暴露在空氣中的樣品始終放置在 SEM 真空樣品室內(nèi)。 | |
| 生命科學(xué) | 冷凍生物樣品的高分辨率成像和高性能分析 | 使用 aSTEM 探測(cè)器對(duì)細(xì)胞超微結(jié)構(gòu)成像。 C2D 探測(cè)器可為電子束敏感型精細(xì)生物樣品提供清晰的圖像。 |
| 生物材料的研究，牙齒、骨骼等生物材料及含膠原蛋白的生物聚合物， 如頭發(fā) | 通過*的 VP 模式或使用低電壓方法，研究無鍍膜不導(dǎo)電生物材料。拉曼成像技術(shù)可對(duì)各種生物材料進(jìn)行表征分析，如貝殼、珍珠、骨骼和牙齒結(jié)構(gòu)，或指甲和頭發(fā)等生物聚合物。 | |
地質(zhì)學(xué) 礦物學(xué) | 材料和巖石的全面分析 將高分辨率 | SEM 圖像和 EDS 元素分析與拉曼光譜成像組合來識(shí)別多晶型礦物。表征巖段中顆粒度和相分布，區(qū)分有機(jī)和無機(jī)材料。 |
| 自然資源 | 快速準(zhǔn)確地檢測(cè)巖芯礦物樣品 | Sigma 能夠在可變氣壓模式下對(duì)非導(dǎo)電地質(zhì)樣品進(jìn)行成像和高速分析。 |
| 使用 HDBSD 探測(cè)器可得到頁巖和礦物的高清成分?jǐn)?shù)據(jù)。兩個(gè)相對(duì)放置的 EDS 探測(cè)器能以 2 倍的速度探測(cè)成分相關(guān)的 X 射線數(shù)據(jù)。 | ||
| 為公共實(shí)驗(yàn)室提供高通量解決方案 | 得益于樣品室的幾何設(shè)計(jì)，一次可同時(shí)容納 16 個(gè)樣品。 | |
| 用于物相區(qū)分的關(guān)聯(lián)分類 | 使用拉曼光譜關(guān)聯(lián)化學(xué)分析結(jié)果來辨別多晶體。 | |
| 工業(yè)應(yīng)用 | 材料和制造組件的失效分析 | Inlens 二次電子探測(cè)器可以輕松獲取失效的工程微結(jié)構(gòu)和微電子機(jī)械系統(tǒng)裝置的高分辨率形貌信息。 |
| 使用 HDBSD 探測(cè)器進(jìn)行精加工組件的 3D 表面測(cè)量。高襯度 HDBSD 成像能夠讓您分析和確定引起斷裂與缺陷的原因。 | ||
| 鋼和金屬的成像與分析 | 即使是大體積樣品也能夠使用笛卡爾樣品臺(tái)進(jìn)行分析。借助原位等離子清洗技術(shù)保持高質(zhì)量圖像，并使用 AsB 獲取晶體和通道襯度。HDBSD 讓非金屬夾雜物辨識(shí)更簡單。 | |
| 檢驗(yàn)科研 | Sigma 系列能用于檢查支架和外科模膏的結(jié)構(gòu)與涂層。在可變壓力模式下，新型 C2D 探測(cè)器可以完成涂層瑕疵的低噪聲高清晰度成像。 | |
| 在過程控制和診斷中表征半導(dǎo)體和電子設(shè)備 | Sigma 500 的大型樣品交換室能夠快速裝載 5 英寸晶圓。使用 Inlens Duo 探測(cè)器獲取 多層器件的高倍成分與形貌圖像。 | |
| 在高真空模式下，使用性能增強(qiáng)的新型ETSE探測(cè)器在低電壓下獲取半導(dǎo)體設(shè)備的詳細(xì)信息。 | ||
| 對(duì)半導(dǎo)體材料和器件進(jìn)行 Raman 表征 | 使用SEM與共聚焦拉曼成像關(guān)聯(lián)，以高分辨檢測(cè)應(yīng)力、應(yīng)變和晶體結(jié)構(gòu)類型或取向并辨別缺陷。 |
