技術(shù)指標:
1. 分辨率
二次電子 (SE) 成像:
分辨率:1.0nm@30kV,分辨率:3.0nm@1kV
背散射電子(BSE)成像:分辨率:2.5nm@20kv
2. 放大倍數(shù)
15 x -800,000 x,實時顯示屏幕放大倍數(shù)
3. 加速電壓
0~30kV
4. 電子槍
Schottky肖特基場發(fā)射電子槍;
自動調(diào)整功能:聚焦、亮度/對比度、消像散、動態(tài)聚焦、電子束對中等。
5. 鏡筒
高性能透鏡系統(tǒng)
物鏡光闌:三個可在真空外調(diào)節(jié),無需拆卸鏡筒即可更換物鏡光闌
6. 真空系統(tǒng)
2個離子泵,1個渦輪分子泵,1個機械泵;樣品室真空優(yōu)于6×10-4 Pa ,槍真空優(yōu)于1×10-6Pa。全自動真空控制,具有真空互鎖功能。
7. 探測器
高真空二次電子探測器。
背散射電子探測器
紅外CCD檢測器
8. 自動樣品臺
五軸全自動預對中樣品臺,重復定位精度2μm。
行程:X≤ 75mm,Y≤ 75mm,Z≤ 60mm
旋轉(zhuǎn):360°連續(xù)
傾斜: -5°~+75°
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