測量功能 | 主要技術指標/特性 | 測量模塊 | |
電流/電壓(IV)測量 | 電源和測量范圍高達 200 V/1 A *低測量分辨率為 0.1 fA / 0.5 µV 針對基礎和上等 IV 測量提供點測量、掃描測量等功能 | B1511B /B1511B /B1511B SMU(電源/測量單元) | |
準靜態(tài) CV(QS-CV) | **的準靜態(tài)電容-電壓(QS-CV)測量,具有泄露電流補償 | ||
采樣測量 | 采樣(時域)測量間隔為 100 µs | B1510A/B1511A/B1517A SMU(電源/測量單元) | |
脈沖測量 | 低至 500 µs | 在 500 µs 脈寬、2 μs 分辨率的條件下執(zhí)行脈沖測量 | |
低至 100 ns | 適用于脈沖 IV 和瞬時 IV 的超快速 IV 測量功能,例如 NBTI/PBTI、RTN(隨機電報信號噪聲)等 脈沖測量,脈寬為 50 μs 電源和測量范圍高達 30 V / 1 A(0.1 A 直流) 支持示波器視圖 利用 10 ns 編程分辨率生成波形 同時執(zhí)行高速 IV 測量(200 MSa/s,采樣率為 5 ns) 10V 峰峰值輸出 利用動態(tài) SMU 技術,負載線不會影響脈沖 IV 測量的精度 | B1514A 50 µs 脈沖 MCSMU (中等電流電源/測量單元) | |
低至 10 ns | 適用于高 k/SOI 脈沖 IV 的表征解決方案 選**沖寬度是 10 ns 至 1 µs,上升和下降時間*小值為 2 ns | B1542A 10 ns 脈沖 IV 參數測試解決方案 | |
脈沖生成 | 高壓輸出可達±40 V,適用于非易失存儲器測試 為單通道提供二電平和三電平脈沖 利用 10 ns 分辨率靈活地生成任意波形(任意線性波形生成功能) 每個模塊具有兩個通道 | B1525A HV-SPGU(高電壓半導體脈沖發(fā)生器單元) | |
交流阻抗(CV)測量 | 交流阻抗測量(C-V、C-f、C-t) 頻率范圍 1 kHz 至 5 MHz SMU 提供 25 V 內置直流偏置和 100 V 直流偏置 SCUU 能夠快捷、**地改變 IV 和 CV 自動連接 | B1520A MFCMU(多頻率電容測量單元) |
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