UNITY™ Me 在 200 毫米晶圓內(nèi)實(shí)現(xiàn)等離子蝕刻工藝的性價(jià)比,提供的可靠性和生產(chǎn)力。近年來,該系統(tǒng)通過演示用于功率器件制造的高性能 Si/SiC 溝槽蝕刻工藝,獲得了大量好評(píng)。
UNITY™ Me 是用于 100/150/200mm 晶圓直徑的具有成本效益的干法蝕刻系統(tǒng),近年來作為一種高效系統(tǒng)再次受到關(guān)注,并且仍然作為新產(chǎn)品銷售。有豐富的特殊腔室規(guī)格,如 SCCM™、用于 SiO 2 /SiN 蝕刻的 DRM 和用于 Si/SiC 溝槽蝕刻的 UD 腔室。TEL 通過使用內(nèi)部評(píng)估工具在工藝演示中密切合作,為客戶提供廣泛的蝕刻應(yīng)用。