RIE等離子蝕刻系統(tǒng) RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng),它提高了工藝的可重復(fù)性,并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計(jì)可在?8 "晶圓或?220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE等離子蝕刻系統(tǒng) RIE-200NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需最小的潔凈室空間。
主要特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
加工范圍:?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)
對(duì)稱的排空設(shè)計(jì)提高了蝕刻的均勻性。
工藝室通過(guò)負(fù)荷鎖定室與環(huán)境隔離,提高了工藝的可重復(fù)性,并可進(jìn)行腐蝕性氣體的化學(xué)反應(yīng)。
計(jì)算機(jī)觸摸屏為參數(shù)控制和存儲(chǔ)提供了一個(gè)用戶友好的界面。
自動(dòng)壓力控制,可精確控制工藝壓力,不受氣體流量影響。
干式泵和系統(tǒng)布局便于維護(hù)。
RIE-200NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需最小的潔凈室空間。
應(yīng)用
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的氯基蝕刻。
各種材料的蝕刻,如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Al、Mo、Pt、Polyimide等。
故障分析中的選擇性層蝕刻