SAMCO深硅刻蝕設(shè)備RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH(德國(guó)),能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。
主要特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
可以實(shí)現(xiàn)高速硅深孔加工
它具有的等離子體源和反應(yīng)器結(jié)構(gòu),支持博世工藝,可實(shí)現(xiàn)硅的快速深鉆。
保持速度,減少扇形
通過(guò)高速切換氣體,可以在保持蝕刻速度的同時(shí)減少扇形。
可以進(jìn)行SiO?的蝕刻
可以通過(guò)更換專用ICP線圈來(lái)處理SiO?。
應(yīng)用
MEMS的制造(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等)
μTAS等醫(yī)療設(shè)備的加工