響應性好，噪音低，OptoDiode分段光電二極管
美國OptoDiode分段光電二極管有紅色增強型和紫外線增強型分段探測器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探測器存儲和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮氣或真空是-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。超過這些參數的溫度可能會在有源區(qū)產生氧化物生長。隨著時間的推移，對低能量輻射和波長低于150納米的輻射的反應性將受到影響。距離外殼0.080"，持續(xù)10秒。發(fā)貨時帶有臨時蓋子，以保護光電二極管和導線連接。在拆除蓋子之前，請查看OptoDiode，"IRD檢測器的處理注意事項"。美國OptoDiode分段探測器光子響應性好，噪音低，是電子檢測的理想選擇。
OptoDiode分段光電二極管型號
常見的基板分段探測器是精確歸零或定心應用的理想選擇，提供雙節(jié)電池或四節(jié)電池配置。
| 型號 | 零件編號 | 描述 | 有效面積mm2 |
| AXUVPS7 | ODD-AXU-096 | 四光二極管是電子檢測的理想選擇 | 36.5 |
| ODD-3W-2 | ODD-632-007 | 紅色增強型3.1mm2雙電池光電二極管 | 3 |
| SXUVPS4 | ODD-SXU-013 | 象限紫外線增強光電二極管 | 5 |
| SXUVPS4C | ODD-SXU-023 | 象限紫外線增強光電二極管 | 5 |
ODD-3W-2分段光電二極管的特點
- 紅色增強型
- 低噪音
- 高響應
- 高分流電阻
- 扁平的TO-5封裝
在VR=5 V測試條件下，暗電流典型值是0.9na，值是5na。VR=10 mV， 分流電阻的典型值是300歐姆。當VR=0 V, f=1MHz，結點電阻是30pF，當VR=10 V, f=1MHz時結點電阻是7.5pF。光譜應用范圍是250nm-1100nm。當λ=633nm, VR=0V時，反應性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，當λ=900nm, VR=0V時，反應性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。當IR=10μA，擊穿電壓最小值是25V，典型值是60V。當VR=0V, λ=950nm時，噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當RL=50Ω, VR=0V，上升時間典型值為190納秒，當RL=50Ω, VR=10V，上升時間典型值為8納秒。反向電壓100V。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。
存儲溫度為-55°C~150°C，工作溫度為-40°C~125°C，引線焊接溫度是260°C。
SXUVPS4分段二極管的特點
- 圓形有效區(qū)域（4個象限）
- TO-5，5引腳封裝
在R.049(1.25mm)測試條件下，SXUVPS4分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2。當VR為±10mV時，分流電阻最小值為100歐姆，當IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V時，電容的值是500pF。當VR=0V, RL=500Ω，上升時間值是1微秒。存儲和工作溫度與AXUVPS7分段光電二極管相同。
SXUVPS4C分段光電二極管
TO-5，5引腳封裝，SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2，在波長254nm時，響應性是0.02A/W。VR=±18V，暗電流典型值是1nA，值是100nA。當R=1µA時，反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V，電容典型值是100pF，值是300Pf。VR=0V時，上升時間典型值是1微秒。Vf=±10mV時分流電阻是100歐姆。電容與電壓是反比的關系，暗電流與電壓是正比的關系。
AXUVPS7分段光電二極管的特點
- 是電子檢測的理想選擇
- 圓形有效區(qū)域
AXUVPS7分段光電二極管在25°C時的電光特性，有效面積的典型值是36.5mm2。響應性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，值是0.09A/W。當VR為±10mV時，分流電阻最小值為10歐姆，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時，電容的典型值是2nF,值是6nf。當VR=2V, RL=50Ω，上升時間值是2微秒。
