PA9T SMD封裝的Roithner發(fā)光二極管，1900nm波長(zhǎng)，30mW高功率
1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹(shù)脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片（InGaAs chip）。砷化鎵芯片技術(shù)以及采用耐熱聚酰胺 (PA9T) SMD封裝，底座尺寸均為5x5mm。該產(chǎn)品有SMB1N系列一如既往的的高功率。
SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面貼裝高功率紅外高功率LED，典型峰值波長(zhǎng)為1900nm，光輸出功率為27mW@1A。Roithner 高功率發(fā)光二極管采用聚酰胺樹(shù)脂 SMD 封裝 (PA9T)，帶有鍍銀焊盤(pán)（可無(wú)鉛焊接）、銅散熱器和硅樹(shù)脂模壓平窗。SMB1N-1900D-02的光輸出功率為30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不僅采用聚酰胺樹(shù)脂SMD封裝(PA9T)，帶有鍍銀焊盤(pán)（可無(wú)鉛焊接）、銅散熱器和硅樹(shù)脂模制透鏡，還可根據(jù)要求提供不同光束角度的其他變體。
Roithner LED SMB1N-1900D與SMB1N-1900D-02的區(qū)別是SMB1N-1900D-02含有透鏡，從而導(dǎo)致其光束角為±9°，而SMB1N-1900D的光束角為±64°。
Roithner 1900nm LED的主要特點(diǎn)：
-紅外高功率LED
-特定波長(zhǎng)1900nm，光輸出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）
-砷化鎵芯片（InGaAs chip），1x1mm
- PA9T SMD 封裝
-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）
1900nmLED發(fā)光二極管的額定值*：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 值 | 單位 |
| 功率耗散 | PD | | 1600 | mW |
| 正向電流 | IF | | 1000 | mA |
| 脈沖正向電流** | IFP | | 2000 | mA |
| 反向電壓 | UF | | 2 | V |
| 熱阻 | RTHJA | | 10 | K/W |
| 結(jié)溫 | TJ | | 120 | °C |
| 工作溫度 | TCASE | -40 | +85 | °C |
| 存儲(chǔ)溫度 | TSTG | -40 | +100 | °C |
| 引線焊接溫度 (tmax.5s) | TSLD | | +250 | °C |
*接近或超過(guò)這些參數(shù)的操作可能會(huì)損壞設(shè)備
**占空比=1%，脈沖寬度=10μs
1900nm高功率LED電子光學(xué)特性（TCASE = 25°C）：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 單位 |
| 峰值波長(zhǎng) | λP | IF=1 A | 1850 | | 1950 | nm |
| 半寬 | λΔ | IF=1 A | | 120 |
| nm |
| 正向電壓 | VF | IF=1 A | | 1.2 | 1.6 | V |
| VFP | IFP=2 A* | | 1.6 |
| ||
| 總輻射功率 | PO | IF=1 A | 18 | 27 |
| mW |
| IF=2 A* | | 47 |
| |||
| 輻射強(qiáng)度 | IE | IF=1 A | | / |
| mW/sr |
| IF=2 A* | | / |
| |||
| 視角 | 2θ1/2 | IF=100 Ma | | 128 |
| deg. |
| 上升時(shí)間 | tr | IF=1 A | | 90 |
| ns |
| 下降時(shí)間 | tf | IF=1 A | | 30 |
| ns |
*占空比=1%，脈沖寬度=10μs
1900nmLED發(fā)光二極管的外形尺寸：
1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D
紅外高功率Roithner LED典型性能曲線：
