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PMST-3500V MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺

參考價訂貨量

1000

≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號PMST-3500V
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時間2024-01-02
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限2
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量397
  • 人氣值60548
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同類產(chǎn)品

      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實訓(xùn)平臺等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的L跑者邁進。







點擊展示更多內(nèi)容
產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制 集電極-發(fā)射極?最大電壓3500V
柵極-發(fā)射極?最大電壓300V 漏電流測試范圍1nA~100mA
普賽斯MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等
MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺 產(chǎn)品詳情

IGBT測試難點:

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進行脈沖IV測試,用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

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MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺特點和優(yōu)勢:

單臺Z大3500V輸出;


單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大6000A;


15us的超快電流上升沿;


同步測量;


國標全指標的自動化測試;




系統(tǒng)指標

項目

參數(shù)

集電極-發(fā)射極

Z大電壓.

3500V

Z大電流

6000A

精度

0.10%

大電壓上升沿

典型值5ms

大電流上升沿

典型值15us

大電流脈寬

50us~500us

漏電流測試量程

1nA~100mA

柵極-發(fā)射極

Z大電壓

300V

Z大電流

1A(直流)/10A(脈沖)

精度

0.05%

Z小電壓分辨率

30uV

Z小電流分辨率

10pA

電容測試

典型精度

0.5%

頻率范圍

10Hz~1MHz

電容值范圍

0.01pF~9.9999F

溫控

范圍

25℃~150℃

精度

±1℃





測試項目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat


集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges


柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)


輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容


續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


普賽斯

MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計,方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。




熱門產(chǎn)品
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