高品質(zhì)大面積光學(xué)薄膜沉積系統(tǒng)

1.       主腔體：圓柱形304不銹鋼、長方形前門、2個(gè)觀察窗口、大約1000L

2.       真空系統(tǒng)：螺旋泵80m³/h+低溫泵10,000 l/s (N₂)

3.       離子源：RF耦合（2MHz）, filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣

                         束徑100mm， 電流＞200mA，電子能量1-2 KeV

                        工藝氣體：4個(gè)流量控制機(jī)，用于氧氣、稀有氣體

                        Ar等離子體，電子束流500mA

      3a.     離子源升級(jí)：代替標(biāo)準(zhǔn)離子源（3）

                                RF耦合（2MHz）, filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣

                                束徑150mm，電流大于500mA，電子能量大于1 KeV

                                工藝氣體：4個(gè)流量控制器，用于氧氣、稀有氣體等

                                Ar等離子體，電子束流900mA

      3b.     輔助離子源：RF耦合（2MHz）, filament-free離子源用于Ar和氧氣

                                      工藝氣體：2個(gè)流量控制器，氧氣和稀有氣體

                                束徑100mm，離子能量200-1000 eV，束流0-200mA

4.       靶          400m×200mm （標(biāo)準(zhǔn)3）；400mm×250mm（選項(xiàng)3a）

                              標(biāo)準(zhǔn)材料：Ta＞99.998%，Si＞99.999%

      4a.      可選靶  200mm×200mm 或200mm×250mm     

                              材料：Nb>99.95%, HfO₂>99.99%, Al>99.999%, Ti>99.99%

                              更高純度或其他材料可以提要求

      5   樣品臺(tái)        平面、真空兼容Al樣品臺(tái)

                              Bottom-up coating 法

                              沉積區(qū)域直徑200mm（標(biāo)準(zhǔn)3）、沉積區(qū)域直徑350mm（選項(xiàng)3a）

                              旋轉(zhuǎn)速度0-120rpm

      5a.         Load Lock可選  

                    直徑400mm，加載重量5kg

                    螺旋泵+分子泵抽高真空

                    手動(dòng)加載，自動(dòng)送樣

      5b.        襯底加熱可選    

                   石英加熱器，最小功率1.6KW，襯底溫度280℃

                   采用熱電偶控溫

       6.    OMS               波長范圍380-1050nm

                                     波長分辨率2nm

                                     測量誤差補(bǔ)償＜0.2%

                                     測量誤差噪音<1%峰值（@650nm）

                                     全自動(dòng)控制

                                     積分時(shí)間：2ms

       6a.    DUV可選          DUV延長寬波段OMS

                                        波長范圍230-380nm

                                        波長分辨率2nm

                                        測量誤差補(bǔ)償＜2%

                                        測量誤差噪音<1%峰值（@350nm）

                                        積分時(shí)間：10ms

        6b.     IR可選           波長范圍900-1700nm

                                        波長分辨率5nm

                                        測量誤差補(bǔ)償＜2%

                                        測量噪音<1%峰值（@1200nm）

                                        積分時(shí)間：12ms

        7     系統(tǒng)性能表現(xiàn)：

                       真空度    基準(zhǔn)真空度＜3×10^-7mbar

                                      工作氣壓＜1×10^-3mbar

                       標(biāo)準(zhǔn)靶     沉積速率0.15nm/s (Ta₂O₅, SiO₂) @200mm直徑 （標(biāo)準(zhǔn)3）

                                       沉積速率0.15nm/s (Ta₂O₅, SiO₂) @350mm直徑(3a選項(xiàng))

                       薄膜均勻性         優(yōu)于±1%@<直徑200mm（標(biāo)準(zhǔn)3）

                                                   優(yōu)于±1%@<直徑350mm（選項(xiàng)3a）