AZ®1500 Series應(yīng)用
通用正性光刻膠，具有出色的基材附著力，適用于要求苛刻的濕法蝕刻應(yīng)用。
? 快速實(shí)現(xiàn)高吞吐量
? MIF 或 IN 開發(fā)人員兼容性
? 安全溶劑
? 旋涂厚度從 0.5 到 6µm
? 提供染色和未染色版本
典型過程
軟烤：90 至 110C*
曝光：310-450nm 敏感
曝光后烘烤：可選
開發(fā)：60s Puddle 或沉浸式
開發(fā)人員類型：MIF 或 IN
* 使用較高的軟烘烤溫度。
對(duì)金屬的附著力
過程注意事項(xiàng)
基板準(zhǔn)備
基材必須清潔、干燥且無有機(jī)殘留物。在涂覆 AZ 1500 之前，應(yīng)使用 HMDS（六甲基二硅氮烷）或其他合適的底漆對(duì)氧化物形成基材（Si 等）進(jìn)行底漆處理。有關(guān)使用 HMDS 進(jìn)行預(yù)處理的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們。
涂層
AZ 1500 系列抗蝕劑與所有常見的涂層方法兼容，包括旋涂、噴涂和輥涂。
軟烤
軟烘烤時(shí)間和溫度可能因應(yīng)用而異。建議優(yōu)化工藝以確保穩(wěn)定的光刻和粘合性能。 AZ 1500 的軟烘烤溫度應(yīng)在 90-110C 范圍內(nèi)。接近該范圍的溫度將提高對(duì)金屬的附著力。烘烤可以在電爐上或通風(fēng)烘烤爐中進(jìn)行。
接觸
AZ 1500 對(duì) 310 至 450nm 之間的曝光波長敏感。建議使用 365-436nm。
曝光后烘烤
PEB 可用于處理范圍并減輕由單色曝光引起的駐波效應(yīng)。 PEB 溫度和時(shí)間可能因應(yīng)用而異。作為一般規(guī)則，PEB 溫度應(yīng)在 105 至 115C 范圍內(nèi)。
發(fā)展
AZ 1500 系列光刻膠與無金屬離子 (TMAH) 和無機(jī)（鈉或鉀基）顯影劑兼容。 AZ 400K 1:4 或 AZ 300MIF 顯影劑推薦用于槽浸處理，AZ 917MIF 推薦用于水坑顯影。
硬烤
硬烘烤（顯影后烘烤）可提高濕法蝕刻或電鍍應(yīng)用中的附著力，并提高干法蝕刻工藝中的圖案穩(wěn)定性。硬烘烤溫度應(yīng)在 100 至 110C 范圍內(nèi)，以確保圖案的熱變形最小。
剝離
在正常工藝條件下，AZ 1500 可在專為 DNQ/酚醛清漆型光刻膠設(shè)計(jì)的去除劑中輕松剝離。推薦使用 AZ 300T、AZ 400T 和 AZ Kwik 剝離劑。請(qǐng)聯(lián)系您的 AZ 產(chǎn)品代表以獲取應(yīng)用/基板特定的去除劑建議和數(shù)據(jù)表。剝離時(shí)間可能會(huì)因光刻膠圖案的熱歷史而異。經(jīng)受高加工溫度（高于 140°C）的圖案可能會(huì)交聯(lián)并變得更難以去除。應(yīng)注意避免可能燒焦光刻膠圖案的過高加工溫度。燒焦的光刻膠圖案不會(huì)溶解在溶劑型去除劑中。
