IRFP260NPBF是采用TO-247AC封裝的200V單N溝道HEXFET功率MOSFET。該MOSFET具有極低的每硅面積電阻,動(dòng)態(tài)dv/dt額定值,并聯(lián),堅(jiān)固耐用,快速開關(guān),簡單的驅(qū)動(dòng)要求以及*雪崩額定值的特性,功率MOSFET具有*的效率和可靠性,可以可用于多種應(yīng)用。
漏極至源極電壓(Vds)為200V
柵極至源極電壓為±20V
Vgs 10V時(shí)導(dǎo)通電阻Rds(on)為40mohm
25°C時(shí)300W的功耗Pd
Vgs 10V和25°C時(shí)50A的連續(xù)漏極電流Id
工作結(jié)溫范圍為-55°C至175°C
應(yīng)用
電源管理,工業(yè),便攜式器材,消費(fèi)電子產(chǎn)品
IRFP260NPBF是采用TO-247AC封裝的200V單N溝道HEXFET功率MOSFET。該MOSFET具有極低的每硅面積電阻,動(dòng)態(tài)dv/dt額定值,并聯(lián),堅(jiān)固耐用,快速開關(guān),簡單的驅(qū)動(dòng)要求以及*雪崩額定值的特性,功率MOSFET具有*的效率和可靠性,可以可用于多種應(yīng)用。