應(yīng)用領(lǐng)域包括:
(1)電合成、電沉積(電鍍)、陽極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;
(2)電化學(xué)分析研究;
(3)能源材料、*功能材料以及傳感器的性能研究;
(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);
(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍10μHz ~1MHz(<2A)
● 高帶寬高輸入阻抗的放大器
● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±12.5V
● 電流控制范圍:±5.0A
● 電位分辨率:10μV
● 電流分辨率:100pA
軟件特點(diǎn)
① 數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰高、峰面積和峰電位等;
極化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,極限擴(kuò)散電流、極化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
CS Studio軟件實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③ 定時(shí)測(cè)量
CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能,對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,提高實(shí)驗(yàn)效率。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
① 極化曲線
具有線性極化和Tafel極化曲線測(cè)量功能,用戶可設(shè)定循環(huán)極化曲線的陽極回掃電流(鈍化膜擊穿電流),來確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位,評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析極化曲線,可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。
鈦基非晶態(tài)合金和不銹鋼在3%NaCl溶液中的動(dòng)電位極化曲線,掃描速率為1mV/s
② 伏安分析
能完成線性掃描伏安(LSV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯伏安(SCV)、方波伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)、交流伏安(ACV)、溶出伏安等多種電分析方法,集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。
CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電極,可用于工作電極本身接地體系的電化學(xué)研究,如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試(釜體接地),大地中金屬構(gòu)件(橋梁、混凝土鋼筋)的在線腐蝕研究等。
④ 自定義方法
支持用戶自定義組合測(cè)量,用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試,用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量;
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例,方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法;
提供用戶自定義腳本編寫范例,用于實(shí)現(xiàn)您*的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)
恒電位控制范圍 | ±10V |
恒電流控制范圍 | ±5.0A |
電位控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
電流控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) |
電位靈敏度 | 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
電流靈敏度 | <100pA |
電位上升時(shí)間 | <1μS(<10mA),<10μS(<2A),<20μS(>2A) |
電流量程 | 20A~2μA, 共8檔 |
參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
輸出電流 | 5.0A |
槽壓輸出 | ±12.5V |
電流掃描增量 | 1mA @1A/mS |
CV和LSV掃描速度 | 0.001mV~10000V/s |
電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
CA和CC脈沖寬度 | 0.0001~65000s |
DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001~1000s |
SWV頻率 | 0.001~100KHz |
CV的最小電位增量 | 0.075mV |
AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@1MHz,20bit @1kHz |
電流與電位量程 | 自動(dòng)設(shè)置 |
DA分辨率 | 16bit |
建立時(shí)間 | 1μS |
低通濾波器 | 8段可編程 |
通訊接口 | USB2.0 |
儀器重量 | 6.5Kg |
外形尺寸(cm) | 36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
信號(hào)發(fā)生器 | |
頻率響應(yīng) | 10μHz~115KHz |
交流信號(hào)幅值 | 1mV~2500mV |
頻率精確度 | 0.005% |
直流偏壓 | -10V~+10V |
DDS輸出阻抗 | 50Ω |
波形 | 正弦波,三角波,方波 |
正弦波失真率 | <1% |
掃描方式 | 對(duì)數(shù)/線性,增加/下降 |
信號(hào)分析器 | |
積分時(shí)間 | 106個(gè)循環(huán)或者105S |
測(cè)量時(shí)間延遲 | 0~105秒 |
最小積分時(shí)間 | 10mS 或者一個(gè)循環(huán)的最長時(shí)間 |
直流偏置補(bǔ)償 | |
電位補(bǔ)償范圍 | -10V~+10V |
電流補(bǔ)償范圍 | -1A~+1A |
帶寬調(diào)整 | 自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
開路電位測(cè)量(OCP)、恒電位極化(i-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)、動(dòng)電流掃描(DGP)
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍(VSTEP)、恒電流階躍(ISTEP)
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法(CP)、計(jì)時(shí)電流法(CA)、計(jì)時(shí)電量法(CC)
伏安分析
線性掃描伏安法(LSV)、線性循環(huán)伏安法(CV)、階梯循環(huán)伏安法(SCV)、方波伏安法(SWV)、差分脈沖伏安法(DPV)、常規(guī)脈沖伏安法(NPV)、常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)、交流伏安法(ACV)、二次諧波交流伏安(SHACV)
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安
交流阻抗
電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描、電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描、電化學(xué)阻抗(EIS)~電位掃描(Mott-Schottky曲線)
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線(CPP)、線性極化曲線(LPR)、動(dòng)電位再活化法(EPR)、電化學(xué)噪聲(EN)、電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)、氫擴(kuò)散測(cè)試 (HDT,氫擴(kuò)散測(cè)試中主動(dòng)式充氫需要另行配置CS1002恒電位/恒電流儀使用)
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口(定制)
配置
1) 儀器主機(jī)1臺(tái)
2) CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3) 專用電解池(含鹽橋和排氣管)1套
4) 輔助、參比、工作電極各1支
5) 模擬電解池1個(gè)
6) 電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7) 電極電纜線1根
8) 電極架 (選配*)
9) 屏蔽箱 (選配*)
10)電腦(選配 *)
- CS1005高電流電化學(xué)工作站資料