晶體定向、電導(dǎo)率和電阻率檢查要確保晶體是否達(dá)到定向和電阻率的規(guī)格要求。晶體定向是由X射線(xiàn)衍射或者平行光衍射來(lái)確定的，晶體的一端被腐蝕或拋光來(lái)去除損傷層，再將晶體安放到衍射儀上，X或平行光反射晶體表面到成像板上，從而可以看到晶體的晶向。晶棒黏放在一個(gè)切割塊上來(lái)保證晶圓從晶體正確的晶向切割。由于晶體是經(jīng)過(guò)摻雜的，一個(gè)重要的電學(xué)性能檢查是導(dǎo)電類(lèi)型(N型或者P型)，以保證使用了正確的摻雜物。而進(jìn)入晶體的摻雜物數(shù)量由電阻率測(cè)量來(lái)確定。

　　滾磨定向一旦晶體在切割塊上定好晶向，就沿著軸滾磨出一個(gè)參考面，這個(gè)參考面將會(huì)在每個(gè)晶圓上出現(xiàn)，稱(chēng)之為主參考面。對(duì)于更大直徑的晶圓，在晶體上磨出一個(gè)槽用來(lái)標(biāo)識(shí)晶圓的晶向，有些情況下在晶體上磨出一個(gè)簡(jiǎn)單的凹槽來(lái)作為生產(chǎn)晶向的定位。

　　切片用有金剛石涂層的內(nèi)圓刀片把晶圓從晶棒上切下來(lái)，這些刀片是中心有圓孔的薄圓鋼片。對(duì)于大直徑的晶圓使用線(xiàn)切割可以保證小錐度的平整表面和少量的刀口損失。

　　磨片半導(dǎo)體晶圓的表面要規(guī)則沒(méi)有切割損傷，并且要平整，平整度是小尺寸圖片必須的條件，*的光刻工藝把所需的圖案投影到晶圓表面，如果表面不平整，將會(huì)發(fā)生扭曲。為了保證晶圓的平整度，一般分為磨片和化學(xué)機(jī)械拋光，磨片的主要目的是為了去除切片工藝殘留的表面損傷?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是以堿性?huà)伖庖涸诰A表面形成一層薄的二氧化硅，拋光墊以持續(xù)的機(jī)械摩擦來(lái)去除氧化物，這樣晶圓表面的高點(diǎn)被除掉，直到獲得特別平整的表面。

　　晶圓壓膜

　　中國(guó)臺(tái)灣ELT科技是*制程設(shè)備制造商，其中硅片真空壓膜機(jī) 晶圓級(jí)壓膜機(jī)是8寸/12寸晶圓貼合設(shè)備，填充率高，無(wú)氣泡，高深寬比，全自動(dòng)調(diào)節(jié)溫度壓力，是晶片制程后期的設(shè)備。