深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司現(xiàn)貨提供NTMFS4C302NT1G N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 只做原裝 質(zhì)量保證
星際金華供應(yīng)NTMFS4C302NT1G N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 有單者價(jià)格方面可詳談
<div ft5"="" style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: Arial, Verdana, sans-serif; font-size: 12px;">特征
• 占地面積?。?x6毫米),緊湊設(shè)計(jì)
• 低R DS(on)以小化傳導(dǎo)損耗
• 低Q G 和電容以大程度減少駕駛員損失
• 這些設(shè)備無(wú)鉛,無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑,并且符合RoHS要求合規(guī)
制造商 ON Semiconductor
制造商型號(hào) NTMFS4C302NT1G
批號(hào) 18+
描述 NFET SO8FL 30V 1.15MO
詳細(xì)描述 表面貼裝型-N-通道-30V-41A(Ta)-230A(Tc)-3.13W(Ta)-96W(Tc)-5-DFN(5x6)(8-SOFL)
規(guī)格
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 -
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,500
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 41A(Ta),230A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(大 Rds On,小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(大值) 1.15 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(大值) 82nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(大值) 5780pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 3.13W(Ta),96W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼 8-PowerTDFN,5 引線