STF22NM60N N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管-儀表網(wǎng)

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	進(jìn)口	加工定制	否

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N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品詳情

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深圳市星際金華*STF22NM60N N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 原廠直銷貨源充足現(xiàn)貨出售可提供樣品

說(shuō)明：這些設(shè)備使用第二代MDmesh™技術(shù)制造。這一革命性的功率MOSFET將新的垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶狀布局相結(jié)合，從而產(chǎn)生世界上低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷之一。因此，它適用于要求苛刻的高效轉(zhuǎn)換器。

主要特點(diǎn)
100％雪崩測(cè)試
低輸入電容和柵極電荷
低柵極輸入電阻

規(guī)格參數(shù)值

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 220 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 4V @ 100µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（大值） 44nC @ 10V

Vgs（大值） ±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 1300pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 30W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220FP

封裝/外殼 TO-220-3 整包

對(duì)此上述產(chǎn)品感興趣的商友，請(qǐng)致電與我們咨詢，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)?。。?/p>

關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器

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