星際金華原裝*STP45N40DM2AG N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 進(jìn)口* *
深圳市星際金華供應(yīng)STP45N40DM2AG N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 量大價(jià)優(yōu) 歡迎購(gòu)買
該高壓N溝道功率MOSFET是MDmesh™DM2快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有極低的恢復(fù)電荷(Q rr)和時(shí)間(t rr)以及低的R DS(on),從而使其非常適合要求苛刻的高效轉(zhuǎn)換器,并且非常適合橋拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器。
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 38A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(大值) 72 毫歐 @ 19A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(大值) 56nC @ 10V
Vgs(大值) ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(大值) 2600pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 250W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
主要特征
專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì),且符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
快速恢復(fù)體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
低導(dǎo)通電阻
經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試
*的dv / dt耐用性
齊納保護(hù)
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