PSMN0R9-25YLC N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管-儀表網(wǎng)

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	進(jìn)口	加工定制	否

星際金華大量原裝現(xiàn)貨出售PSMN0R9-25YLC N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管：邏輯電平增強(qiáng)型N溝道MOSFET，采用LFPAK封裝。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)適用于各種工業(yè)、通信及家用設(shè)備。

N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品詳情

星際金華大量原裝現(xiàn)貨出售PSMN0R9-25YLC N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 現(xiàn)貨提供量大價(jià)優(yōu) 質(zhì)量保證

深圳市星際金華供應(yīng)PSMN0R9-25YLC N溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 原廠直銷有意者價(jià)格方面可洽談

產(chǎn)品信息
制造商 Nexperia USA Inc.
制造商零件編號(hào) PSMN0R9-25YLC,115
批號(hào) 新年份
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,500
包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無限）
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 26 周

規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 100A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 0.99 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（大值） 110nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 6775pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 272W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼 SC-100，SOT-669

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