國華等離子清洗設(shè)備半導(dǎo)體封裝基本原理
半導(dǎo)體封裝行業(yè)廣泛應(yīng)用的物理、化學(xué)清洗方法大致可分成濕式清洗和干式清洗兩類，特別是干式清洗發(fā)展非常快，其中等離子體清洗優(yōu)勢明顯，有助于提高晶粒與焊盤導(dǎo)電膠的粘附性能、焊膏浸潤性能、金屬線鍵合強度、塑封料和金屬外殼包覆的可靠性等，在半導(dǎo)體器件、微機電系統(tǒng)、光電元器件等封裝領(lǐng)域中推廣應(yīng)用的市場前景廣闊。
半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中，受材料、工藝以及環(huán)境的影響，晶圓芯片表面會存在肉眼看不到的各種微粒、有機物、氧化物及殘留的磨料顆粒等沾污雜質(zhì)，而等離子清洗是適合的工藝方法。
在不破壞晶圓芯片及其他所用材料的表面特性、熱學(xué)特性和電學(xué)特性的前提下，清洗去除晶圓芯片表面的有害沾污雜質(zhì)物，對半導(dǎo)體器件功能性、可靠性、集成度等顯得尤為重要；否則，它們將對半導(dǎo)體器件的性能造成致命缺陷和影響，*地降低產(chǎn)品良率，并將制約半導(dǎo)體器件的進一步發(fā)展。
國華等離子清洗設(shè)備半導(dǎo)體封裝基本原理
等離子清洗的基本技術(shù)原理（1-3）：
1、在密閉的真空腔體中，通過真空泵不斷抽氣，使得壓力值逐漸變小，真空度不斷提高，分子間的間距被拉大，分子間作用力越來越小，利用等離子發(fā)生器產(chǎn)生的高壓交變電場將Ar、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發(fā)、震蕩形成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，進而與有機污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，終由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到表面清潔、活化、刻蝕等目的。
2、等離子清洗并不會破壞被處理的半導(dǎo)體封裝材料或者產(chǎn)品的固有特性，發(fā)生改變的僅僅是表面納米級的厚度，被清洗的半導(dǎo)體封裝材料或產(chǎn)品表面污染物被去除，分子鍵打開后極其微小的結(jié)構(gòu)變化，形成一定的粗糙度或者是在表面產(chǎn)生親水性的官能基，使得金屬焊接的可靠性增強、不同材料之間的結(jié)合力提高等，從而提高產(chǎn)品的信賴度、穩(wěn)定性，延長產(chǎn)品的使用壽命。
3、半導(dǎo)體封裝等離子清洗根據(jù)其反應(yīng)類型可分為以下三種：
a.物理反應(yīng)的清洗：利用Ar等惰性氣體輕易不與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，離子質(zhì)量比較重，對材料表面進行物理轟擊，清除污染物或?qū)⒏叻肿拥逆I結(jié)打斷，形成微結(jié)構(gòu)粗糙面。
b.化學(xué)反應(yīng)的清洗：利用H2、O2等活躍性氣體的特性，使之發(fā)生還原反應(yīng)或形成多鍵結(jié)構(gòu)的活性官能團，進行表面改性，提高親水性等。
c.物理化學(xué)反應(yīng)的清洗：根據(jù)需要通入不同組合的工藝氣體，例如Ar、H2混合氣，其效果既有良好的選擇性、清洗性、均勻性，又有較好的方向性。
