國華低溫等離子處理設(shè)備增加結(jié)合力和穩(wěn)定性

1.1 等離子表面處理設(shè)備清洗原理：通過化學(xué)或物理作用對工件表面進行處理，實現(xiàn)分子水平的污染物去除（一般厚度為3～30nm），從而提高工件表面活性。被清除的污染物可能為有機物、環(huán)氧樹脂、光刻膠、氧化物、微顆粒污染物等。對應(yīng)不同的污染物，應(yīng)采用不同的清洗工藝，根據(jù)選擇的工藝氣體不同，等離子清洗分為化學(xué)清洗、物理清洗及物理化學(xué)清洗。

化學(xué)清洗:表面反應(yīng)以化學(xué)反應(yīng)為主的等離子體清洗，又稱PE。
例1：O2＋e－→ 2O※ +e－ O※＋有機物→CO2+H2O
從反應(yīng)式可見，氧等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可使非揮發(fā)性有機物變成易揮發(fā)的H2O和CO2。
例2：H2+e-→2H※+e- H※+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬＋H2O
從反應(yīng)式可見，氫等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可以去除金屬表面氧化層，清潔金屬表面。
物理清洗：表面反應(yīng)以物理反應(yīng)為主的等離子體清洗，也叫濺射腐蝕（SPE）。
例：Ar＋e-→Ar++2e- Ar++沾污→揮發(fā)性沾污
Ar+在自偏壓或外加偏壓作用下被加速產(chǎn)生動能，然后轟擊在放在負(fù)電極上的被清洗工件表面，一般用于去除氧化物、環(huán)氧樹脂溢出或是微顆粒污染物，同時進行表面能活化。
物理化學(xué)清洗：等離子設(shè)備表面反應(yīng)中物理反應(yīng)與化學(xué)反應(yīng)均起重要作用。
1.2 等離子清洗設(shè)備

國華低溫等離子處理設(shè)備增加結(jié)合力和穩(wěn)定性

等離子清洗設(shè)備的原理是在真空狀態(tài)下，壓力越來越小，分子間間距越來越大，分子間力越來越小，利用等離子射頻源產(chǎn)生的高壓交變電場將氧、氬、氫等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子，然后與有機污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達到表面清潔活化的目的。使用等離子是清洗方法中為*的剝離式清洗，其大優(yōu)勢在于清洗后無廢液，大特點是對金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料等都能很好地處理，可實現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗。

1.3 等離子清洗設(shè)備在微電子封裝領(lǐng)域

采用引線框架的塑封形式，仍占主流，其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作爲(wèi)引線框架，銅的氧物與其它一些有機污染物會造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時也會影響芯片的粘接和引鍵合質(zhì)量，確保引線框架的超潔淨(jìng)是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵，經(jīng)國華等離子體處理可達到引線框架表面超淨(jìng)化和活化的效果，成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會*的提高。

1.4 LED的發(fā)光原理及基本結(jié)構(gòu)
發(fā)光原理：LED（light emitting diode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導(dǎo)體發(fā)光器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光，其核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為p-n結(jié)，因此它具有一般pn結(jié)的I-N特性，即正向?qū)?、反向截至及擊穿特性，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。正向電壓下，這些半導(dǎo)體材料的pn結(jié)中，電流從LED陽極流向陰極，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來。半導(dǎo)體晶體可以發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線， 其波長和顏色由組成pn結(jié)的半導(dǎo)體物料的禁帶能量所決定，而光的強弱則與電流有關(guān)。
基本結(jié)構(gòu)：簡單來說，LED可以看作是將一塊電致發(fā)光的半導(dǎo)體材料芯片，通過引線鍵合后四周用環(huán)氧樹脂密封。