深能級瞬態(tài)譜儀（DLTS)（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術手段。根據(jù)半導體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜，深能級瞬態(tài)譜儀 是一種具有*檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜儀。集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。      Semetrol DLTS集成多種自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應用的測試技術．   主要特點 : 自動連線檢測； 自動電容補償功能； 探測靈敏度高 瞬態(tài)電流測量； 傅里葉轉(zhuǎn)化功能； 深能級瞬態(tài)譜分析；      應用領域 : ·檢測Si、ZnO、GaN等半導體材料中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。