半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要目標(biāo)是減少構(gòu)成所有半導(dǎo)體器件中，晶體、多晶和非晶層中固有的和由工藝引起的缺陷。雜質(zhì)、晶界、晶面等引起的缺陷導(dǎo)致陷阱的產(chǎn)生，陷阱可以俘獲自由電子和空穴。即使?jié)舛确浅５停葳逡材軜O大地改變?cè)O(shè)備的性能。深能級(jí)瞬態(tài)光譜(DLTS)是現(xiàn)在一種非常通用的技術(shù)，用于測(cè)定與陷阱相關(guān)的幾乎所有參數(shù)，包括密度、熱界面（熱發(fā)射率）、能級(jí)和空間剖面。
主要特點(diǎn)
●快速而靈敏地檢測(cè)半導(dǎo)體中的電活性缺陷
●高靈敏度：體陷阱檢測(cè)限< 109 atoms/cm3；
●具有低至3微秒的快速響應(yīng)時(shí)間
●具有對(duì)過載的快速恢復(fù)能力以及對(duì)泄露電流的高免疫能力
●快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度
●高達(dá)60dB的背景電容抑制能力度
●數(shù)字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量，50倍的時(shí)間跨度，和不限平均點(diǎn)數(shù)的平均瞬態(tài)
●單次溫度掃描可同時(shí)記錄不同發(fā)射率窗下的8幅譜圖
主要應(yīng)用
●PN結(jié) ●肖特基二極管
●MOS管 ●LED
●場(chǎng)效應(yīng)管 ●半導(dǎo)體激光器
●高電阻率半絕緣材料
