深圳市星際金華電子公司原裝* 英飛凌IRF3205STRLPBF金屬氧化物場效應(yīng)管 原廠直銷 現(xiàn)貨營銷 價(jià)格低廉 質(zhì)量有保證 歡迎廣大商友
IRF3205STRLPBF金屬氧化物場效應(yīng)管:
優(yōu)點(diǎn):
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
低RDS(上)
行業(yè)*的質(zhì)量
動(dòng)態(tài)dv / dt額定值
快速切換
*雪崩評級
175°C工作溫度
概觀:
功率更大,空間更小 - 采用新型 OptiMOS™5 40V和60V 功率MOSFET,英飛凌實(shí)現(xiàn)了1mOhm 40V器件和SuperSO8封裝中1.6mohm 60V,顯著降低了R DS(on) max。目標(biāo)應(yīng)用包括低壓 電機(jī)控制,電信,同步整流,Or- ing開關(guān),太陽能微逆變器和隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。顯著降低柵極電荷和輸出電荷可實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和功率密度。英飛凌的OptiMOS™功率MOSFET 40V-75V針對同步整流進(jìn)行了優(yōu)化,非常適合用于高頻開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 StrongIRFET™功率MOSFET 針對需要性能和耐用性的低頻應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這些應(yīng)用包括電動(dòng)工具,輕型電動(dòng)車和電動(dòng)自行車等終端應(yīng)用。
規(guī)格:
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 110A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(大值) 146nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(大值) 3247pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 200W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(大值) 8 毫歐 @ 62A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
【IRF3205STRLPBF】 此產(chǎn)品由星際金華*原裝現(xiàn)貨供應(yīng),因市場價(jià)格變動(dòng)幅度較大,網(wǎng)上所標(biāo)價(jià)持有不確定性,實(shí)單者請先來電子咨詢我司的客服人員?。?!
公司還供應(yīng)以下型號(hào):
L6201PSTR
SN98660AFG
MP156GJ
MP3312GC
MP2601EJ
MSP430G2152IRSA16R
IPA093N06N3G
N25Q128A11ESF40F
BCM5356C0KFBG
REF3120AIDBZR
REF3125AIDBZR
REF3133AIDBZR
ACS758LCB-100B
REF3030AIDBZR
LM5010MHX
IRF3205STRLPBF
L9352B