CAV25M01VE/NVGS3443T1G EEPROM存儲(chǔ)器/P溝道場效應(yīng)晶體管

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型號(hào)CAV25M01VE
品牌
所在地深圳市
更新時(shí)間2019-11-22

深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
入駐年限第1年
實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
產(chǎn)品數(shù)量198
人氣值4634

產(chǎn)品標(biāo)簽

EEPROM存儲(chǔ)器 P溝道場效應(yīng)晶體管

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產(chǎn)地	進(jìn)口	加工定制	否

星際金華原裝供應(yīng)CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存儲(chǔ)器/P溝道場效應(yīng)晶體管，量大價(jià)優(yōu)，質(zhì)量有保證，現(xiàn)貨出售可提供樣品。

EEPROM存儲(chǔ)器/P溝道場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品詳情

星際金華原裝供應(yīng)CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存儲(chǔ)器/P溝道場效應(yīng)晶體管，量大價(jià)優(yōu)，質(zhì)量有保證，現(xiàn)貨出售可提供樣品。

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CAV25M01VE EEPROM存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器類型非易失

存儲(chǔ)器格式 EEPROM

技術(shù) EEPROM

存儲(chǔ)容量 1Mb （128K x 8）

存儲(chǔ)器接口 SPI

時(shí)鐘頻率 10MHz

寫周期時(shí)間 - 字，頁 5ms

電壓 - 電源 2.5V ~ 5.5V

工作溫度 -40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型表面貼裝型

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC

NVGS3443T1G P溝道場效應(yīng)晶體管

FET 類型 P 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.1A（Ta）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 65 毫歐 @ 4.4A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（大值） 15nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 565pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（大值） -

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝 6-TSOP

封裝/外殼 SOT-23-6

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