星際金華庫存*【IPA093N06N3G場效應(yīng)晶體管】**產(chǎn)品 質(zhì)量有保證 現(xiàn)貨提供 咨詢購買 

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IPA093N06N3G

規(guī)格：

FET 類型    N 溝道
技術(shù)    MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）    60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）    43A（Tc）
驅(qū)動電壓（大 Rds On，小 Rds On）    10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）    4V @ 34µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值）    48nC @ 10V
Vgs（大值）    ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）    3900pF @ 30V
FET 功能    -
功率耗散（大值）    33W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）    9.3 毫歐 @ 40A，10V
工作溫度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型    通孔
供應(yīng)商器件封裝    PG-TO220-3-31 整包
封裝/外殼    TO-220-3 整包

功能概述：

出色的柵極電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）
非常低的導(dǎo)通電阻R DS（on）
快速切換應(yīng)用的理想選擇
符合RoHS標準 - 無鹵素
MSL1評級

優(yōu)點：

所需的并行性較少
增加功率密度
系統(tǒng)成本降低
非常低的電壓過沖

目標應(yīng)用：

同步整流
太陽能微逆變器
隔離的DC-DC轉(zhuǎn)換器
用于12-48V系統(tǒng)的電機控制
Or-ing交換機

上述產(chǎn)品均為星際金華上乘原裝*現(xiàn)貨，網(wǎng)上所發(fā)布的信息僅供參考，實單者請先客服人員，我們將竭誠為您服務(wù)！?。?/p>