IGBT試驗(yàn)臺(tái)系列
高溫阻斷試驗(yàn)臺(tái)
阻斷（或反偏）耐久性試驗(yàn)是在一定溫度下，對(duì)半導(dǎo)體 器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定的時(shí)間，從而對(duì)器件進(jìn) 行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。
一般情況下，此項(xiàng)試驗(yàn)是對(duì)器件在結(jié)溫（Tjm ℃）和規(guī)定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應(yīng)力組合下，進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的 試驗(yàn)，并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù)，確認(rèn)是否通過， 同時(shí)獲 取相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)要求?？晒┌雽?dǎo)體器件配以適當(dāng)?shù)臏囟瓤煽匮b置， 作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗(yàn)。能滿足IGBT進(jìn)行高溫反 偏耐久性試驗(yàn)、高溫漏電流測(cè)試（HTIR）和老煉篩選。
系統(tǒng)組成
漏電流保護(hù)回路 試驗(yàn)電壓保護(hù)回路
在每一試品試驗(yàn)回路中都配置有0.1A的保險(xiǎn)絲，當(dāng)試品在試驗(yàn)期內(nèi)發(fā) 生劣化或突然擊穿或轉(zhuǎn)折，保險(xiǎn)絲將熔斷，設(shè)備面板上的相應(yīng)工位的 氖燈點(diǎn)亮示警，同時(shí)蜂鳴器報(bào)警提示。
試驗(yàn)電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電 壓設(shè)定值比較，當(dāng)試驗(yàn)電壓高于電壓保護(hù)設(shè)定值時(shí)，過壓報(bào)警器響， 同時(shí)保護(hù)繼電器動(dòng)作切斷高壓輸出。
高壓回路
電特性參數(shù)測(cè)試回路 試驗(yàn)電壓 試品漏電流
由電源開關(guān)、控制繼電器、自藕調(diào)壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成，產(chǎn)生規(guī)定的試驗(yàn)電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。
由電壓取樣回路，經(jīng)采集、保持 電路送到設(shè)備的數(shù)字電壓表顯示；
對(duì)每一試品漏電流獨(dú)立采樣，通 過設(shè)備上的波段開關(guān)分別進(jìn)行轉(zhuǎn) 換，傳送到數(shù)字電流表顯示。
技術(shù)指標(biāo)
試驗(yàn)電壓 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 連續(xù)可調(diào)， 50HZ工頻 試驗(yàn)電流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA
試驗(yàn)溫度
溫度范圍：室溫～150℃；溫度均勻性125℃±3℃； 溫度波動(dòng)度±0.5℃
試驗(yàn)工位 10工位 試驗(yàn)容量 80×16=1280位
加電方式
器件試驗(yàn)參數(shù)從器件庫(kù)中導(dǎo)入，ATTM自動(dòng)加電試驗(yàn) 方式，可單通道操作；老化電源可根據(jù)設(shè)定試驗(yàn)電壓 和上電時(shí)間程控步進(jìn)加載
高壓反偏試驗(yàn)臺(tái)
技術(shù)指標(biāo)
0.01mA～2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測(cè)試條件： 反向電壓：直流50～5000V ±3%±10V.
器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后，先測(cè)試IR ，每只 器件依次進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試間隔時(shí)間為約1S。然后同時(shí) 測(cè)試BVR，依次采集電流。間隔時(shí)間為約100mS。
50V～5000V ±3%±10V。 測(cè)試條件： 反向電流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試 高壓反偏測(cè)試
測(cè)試 參數(shù) IR
測(cè)試 參數(shù) BVR
測(cè)試 方法
試驗(yàn)電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測(cè)試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測(cè)試時(shí)間：計(jì)算機(jī)設(shè)定 測(cè)試方法： 器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后，在設(shè)定電壓下對(duì)每只器件同 時(shí)持續(xù)加反壓進(jìn)行測(cè)試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測(cè)試結(jié)果， 監(jiān)控各器件反壓下漏電流參數(shù)，并保存測(cè)試數(shù)據(jù)。
功能指標(biāo)
-50 ºC～140ºC ±1 -50℃～RT ≤±2℃(空載時(shí)) ≤±3℃(空載時(shí)) 不小于1～3℃/min（空載時(shí)） 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地
試驗(yàn)高低溫度范圍 高低溫箱溫控精度 溫度范圍 溫度波動(dòng) 溫度均勻 升溫速率 供電電源
規(guī)格
尺 寸：1800×650×500（mm）
質(zhì) 量：175kg
測(cè)試工位：20工位
工位轉(zhuǎn)換：自動(dòng)切換
耐溫范圍：-50ºC～140ºC
基礎(chǔ)規(guī)格 設(shè)備
高壓反偏試驗(yàn) 1套 PC 機(jī) 1臺(tái) 控制軟件 1套 溫度箱 1臺(tái)
正向壽命試驗(yàn)臺(tái)
系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，
簡(jiǎn)稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn)，
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)
行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動(dòng)容易造成器件疲勞老化。目前國(guó)內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測(cè)技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。
技術(shù)指標(biāo)
測(cè)試參數(shù) VF
0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
測(cè)試條件 正向電流：1mA～60A 直流方波 脈寬 50uS-1mS 工位 20只
測(cè)試方法
器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后，在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對(duì)被試器件依次進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試間 隔時(shí)間約100mS
